申请/专利权人：东芝存储器株式会社

申请日：2014-10-02

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN106104790B

主分类号：H01L21/8246(20060101)

分类号：H01L21/8246(20060101);G11C11/15(20060101);H01L27/105(20060101);H01L43/08(20060101)

优先权：["20140306 US 61/949,054"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.07.24#授权;2017.08.08#专利申请权、专利权的转移;2016.12.07#实质审查的生效;2016.11.09#公开

摘要：根据一个实施例，一种磁阻存储器件包括：衬底，其具有包括第一方向的第一表面；以及存储元件，每个存储元件具有可切换电阻。第一列存储元件不同于相邻第二列存储元件，所述第一列存储元件沿着所述第一方向排成行，所述第二列存储元件沿着所述第一方向在所述第一方向上的存储元件位置处排成行。

主权项：1.一种磁阻存储器件，包括：衬底，其具有包括第一方向的第一表面；第一多个互连；第二多个互连；以及存储元件，每个存储元件具有可切换电阻，沿所述第一方向排列的第一列存储元件与相邻的沿所述第一方向排列的第二列存储元件在所述第一方向上的存储元件位置不同，每个所述存储元件部分地与所述第一多个互连中的一个和所述第二多个互连中的一个的交叉点重叠并从所述交叉点移位，其中所述第二多个互连包括第一栅电极和第二栅电极，并且所述磁阻存储器件进一步包括：有源区域，其沿着所述第一表面在所述衬底的所述表面中延伸，所述第一栅电极和所述第二栅电极贯穿所述有源区域；第一插塞，其在所述第一栅电极和所述第二栅电极外部的所述有源区域的两个部分中的一个部分与所述存储元件中的第一存储元件之间；第二插塞，其在所述有源区域的所述两个部分中的另一个部分与所述存储元件中的第二存储元件之间；第三互连；以及第三插塞，其在所述第一栅电极与所述第二栅电极之间的所述有源区域的一个部分与所述第三互连之间。

全文数据：

权利要求：

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