申请/专利权人：苏州大学

申请日：2019-12-16

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN211089594U

主分类号：H03F1/42(20060101)

分类号：H03F1/42(20060101);H03F3/45(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-避免重复授权放弃专利权

法律状态：2024.04.12#避免重复授权放弃专利权;2020.07.24#授权

摘要：本实用新型公开了一种基于自适应偏置的CMOS跨导单元电路，在宽电压范围内为跨导单元主体电路提供较为恒定的偏置电流，利用栅极电压的自适应调整和预留的较大电压回旋空间，其中偏置电压Vbias1选择较低值，使得电流源I1a刚刚能够饱和，这样，随着输入电压的升高，PMOS管M4a和PMOS管M5a进入线性区之后还能再拓展一些输入电压范围，直到PMOS管M7a也进入线性区，本实用新型的优点在于，可以获取更宽的电压输入范围，对于纳米级CMOS工艺来说是非常重要的特性，同时为跨导主体电路提供的偏置电流非常稳定，即其偏置电流对输入电压的依赖性非常小，有利于提高线性度。

主权项：1.一种基于自适应偏置的CMOS跨导单元电路，其特征在于，包括跨导单元主体电路和自适应偏置电流源；所述跨导单元主体电路包括PMOS管M1a、PMOS管M2a、PMOS管M3a、PMOS管M1b、PMOS管M2b、PMOS管M3b、电阻2R1、电流源I1a和电流源I1b；所述自适应偏置电流源包括PMOS管M4a、与PMOS管M4a匹配的PMOS管M5a、PMOS管M6a、PMOS管M7a、PMOS管M4b、与PMOS管M4b匹配的PMOS管M5b、PMOS管M6b、PMOS管M7b、电流源I2a、电流源I3a、电流源I2b和电流源I3b，其中PMOS管M1a与PMOS管M1b镜像对称，PMOS管M2a与PMOS管M2b镜像对称，PMOS管M3a与PMOS管M3b镜像对称，PMOS管M4a与PMOS管M4b镜像对称，PMOS管M5a与PMOS管M5b镜像对称、PMOS管M6a与PMOS管M6b镜像对称、PMOS管M7a与PMOS管M7b镜像对称；所述PMOS管M4a的源极、PMOS管M5a的源极、PMOS管M4b的源极、PMOS管M5b的源极、电流源I3a的输入端和电流源I3b的输入端均接电源VDD；PMOS管M2a的源极、PMOS管M3a的源极、PMOS管M2b的源极、PMOS管M3b的源极、电流源I1a的输出端、电流源I2a的输出端、电流源I1b的输出端和电流源I2b的输出端均接地；所述PMOS管M4a的栅极和PMOS管M5a的栅极相连并连接PMOS管M7a的漏极和电流源I3a的输出端；PMOS管M5a的漏极连接PMOS管M6a的源极，PMOS管M6a的栅极接PMOS管M1a的栅极和输入电压Vin+，PMOS管M6a的漏极接PMOS管M7a的源极和电流源I2a的输入端；PMOS管M1a的源极接PMOS管M2a的漏极和PMOS管M4a的漏极，PMOS管M1a的漏极接电流源I1a的输入端、PMOS管M2a的栅极和PMOS管M3a的栅极，PMOS管M3a的漏极为电流输出端Iout+；所述PMOS管M4b的栅极和PMOS管M5b的栅极相连并连接PMOS管M7b的漏极和电流源I3b的输出端；PMOS管M5b的漏极连接PMOS管M6b的源极，PMOS管M6b的栅极接PMOS管M1b的栅极和输入电压Vin-，PMOS管M6b的漏极接PMOS管M7b的源极和电流源I2b的输入端；PMOS管M1b的源极接PMOS管M2b的漏极和PMOS管M4b的漏极，PMOS管M1b的漏极接电流源I1b的输入端、PMOS管M2b的栅极和PMOS管M3b的栅极，PMOS管M3b的漏极为电流输出端Iout-；所述PMOS管M1a与PMOS管M4a的连接路径和PMOS管M1b与PMOS管M4b的连接路径之间设有电阻2R1，同时PMOS管M7a的栅极和PMOS管M7b的栅极接偏置电压Vbias1。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州大学 一种基于自适应偏置的CMOS跨导单元电路

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