申请/专利权人：航天科工微系统技术有限公司

申请日：2019-12-27

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN211088465U

主分类号：H01P5/08(20060101)

分类号：H01P5/08(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.07.24#授权

摘要：本实用新型公开了一种基于介质集成波导的微波信号垂直互连结构，属于复杂射频微系统技术领域，解决了现有微带线与SIW的介质厚度一样、插入损耗较大、辐射损耗大的问题。微波信号垂直互连结构包括多层板，多层板包括自上而下层叠布置的8层金属板，L1上设有V18接地屏蔽孔，多个V18接地屏蔽孔形成一个矩形腔体，多层板为左右对称的矩形结构，左侧区域的结构为：L1上设有第一微带线，矩形腔体内的L1上形成第一L1焊盘；第一微带线与第一L1焊盘周围刻蚀形成绝缘的第一区域；矩形腔体内的L4上刻蚀形成第一L4焊盘，L5上刻蚀形成第一L5焊盘；第一L1焊盘上设有V14信号孔，第一L5焊盘上设有V58接地孔。本实用新型可用于实现微波信号垂直互连。

主权项：1.一种基于介质集成波导的微波信号垂直互连结构，其特征在于，所述微波信号垂直互连结构包括多层板，所述多层板包括自上而下层叠布置的8层金属板，分别为L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7和L8；相邻两层金属板之间设有绝缘板；L1上设有多个贯穿L1至L8的V18接地屏蔽孔6，多个V18接地屏蔽孔6围成一个矩形腔体11，多层板为左右对称的矩形结构，划分为左侧区域和右侧区域，右侧区域的结构与左侧区域的结构关于矩形结构的两长边的中心连线对称，左侧区域的结构为：L1上设有与矩形腔体11的上表面的短边垂直的第一微带线1，矩形腔体11区域内的L1上刻蚀形成第一L1焊盘9；第一微带线1与第一L1焊盘9周围刻蚀形成绝缘的第一区域7；矩形腔体11区域内的L4上刻蚀形成第一L4焊盘3；矩形腔体11区域内的L5上刻蚀形成第一L5焊盘4；矩形腔体11区域内的L2、L3、L6、L7上的金属均刻蚀掉；第一L1焊盘9上设有多个贯穿L1至L4的V14信号孔2，第一L5焊盘4上设有贯穿L5至L8的V58接地孔5。

全文数据：

权利要求：

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