买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【实用新型】静电保护电路_长鑫存储技术有限公司_201921453065.6 

申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司

申请日:2019-09-03

公开(公告)日:2020-07-24

公开(公告)号:CN211089124U

主分类号:H02H9/04(20060101)

分类号:H02H9/04(20060101);H01L27/02(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.07.24#授权

摘要:一种静电保护电路,包括:电源端、输入焊盘端和接地端、第三PMOS晶体管、第三NMOS晶体管、内部电路、静电防护结构;内部电路具有第一输入端、第二输入端、第三输入端,第一输入端连接所述第三PMOS晶体管的漏极,所述第二输入端连接所述输入焊盘端,第三输入端连接所述第三NMOS晶体管漏极;第三PMOS晶体管的源极连接所述电源端,第三PMOS晶体管的栅极连接第一控制信号端;所述第三NMOS晶体管的源极连接所述接地端,所述第三NMOS晶体管的栅极连接第二控制信号端;所述静电防护结构位于所述内部电路的第二输入端和电源端之间以及第二输入端与接地端之间。本申请的静电保护电路具有很好的静电保护功能。

主权项:1.一种静电保护电路,其特征在于,包括:电源端、输入焊盘端和接地端、第三PMOS晶体管、第三NMOS晶体管、内部电路、静电防护结构;所述内部电路具有第一输入端、第二输入端、第三输入端,所述第一输入端连接所述第三PMOS晶体管的漏极,所述第二输入端连接所述输入焊盘端,所述第三输入端连接所述第三NMOS晶体管漏极;所述第三PMOS晶体管的源极连接所述电源端,所述第三PMOS晶体管的栅极连接第一控制信号端;所述第三NMOS晶体管的源极连接所述接地端,所述第三NMOS晶体管的栅极连接第二控制信号端;所述静电防护结构位于所述内部电路的第二输入端和所述电源端之间以及所述内部电路的第二输入端与所述接地端之间。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 长鑫存储技术有限公司 静电保护电路

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。