申请/专利权人：珠海格力电器股份有限公司

申请日：2019-11-22

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN211088282U

主分类号：H01L29/868(20060101)

分类号：H01L29/868(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/36(20060101);H01L21/329(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.07.24#授权

摘要：本实用新型提供了一种快恢复二极管，涉及半导体技术领域。其中，快恢复二极管包括：晶圆；设置于所述晶圆上的元胞区，所述元胞区包括第一离子部和第二离子部，所述第一离子部沿预设方向间隔分布，相邻两个所述第一离子部之间设置有所述第二离子部。本申请在元胞区设置有第一离子部及第二离子部，其中，第一离子部与第二离子部可以为浓度不同的掺杂离子类型，形成第一离子部与第二离子部相间分布的主结区域，由此可兼顾第一离子部离子浓度下快恢复二极管的优势、第二离子部浓度下快恢复二极管的优势，有效改善快恢复二极管的性能。

主权项：1.一种快恢复二极管，其特征在于，包括：晶圆1；设置于所述晶圆1上的元胞区3，所述元胞区3包括第一离子部31和第二离子部32，所述第一离子部31沿预设方向间隔分布，相邻两个所述第一离子部31之间设置有所述第二离子部32。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 珠海格力电器股份有限公司 一种快恢复二极管

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