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【发明公布】一种SnS2-g-C3N4异质结光催化降解材料及其制法_陈艮_202010395779.7 

申请/专利权人:陈艮

申请日:2020-05-12

公开(公告)日:2020-07-28

公开(公告)号:CN111450813A

主分类号:B01J21/18(20060101)

分类号:B01J21/18(20060101);B01J23/50(20060101);B01J27/04(20060101);B01J27/24(20060101);B01J35/04(20060101);B01J35/08(20060101);B01J37/10(20060101);B01J35/10(20060101);C02F1/72(20060101);C02F1/30(20060101);C02F101/38(20060101);C02F101/36(20060101);C02F101/34(20060101);C02F101/30(20060101)

优先权:

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的撤回

法律状态:2022.08.16#发明专利申请公布后的撤回;2020.08.21#实质审查的生效;2020.07.28#公开

摘要:本发明涉及光催化降解技术领域,且公开了一种SnS2‑g‑C3N4异质结光催化降解材料,包括以下配方原料及组分:蜂窝状Ag掺杂g‑C3N4、碳纳米管、四氯化锡、巯基乙酸、十六烷基三甲基溴化铵。该一种SnS2‑g‑C3N4异质结光催化降解材料,蜂窝状Ag掺杂g‑C3N4,具有丰富孔隙结构,比表面积巨大,Ag掺杂使g‑C3N4的光吸收边发生红移,增强了光催化剂对光能的响应性和利用率,纳米SnS2空心微球修饰碳纳米管沉积在Ag掺杂g‑C3N4的丰富孔隙结构和巨大的比表面上,形成异质结结构,碳纳米管在SnS2和Ag掺杂g‑C3N4之间形成三维导电网络,协同作用下促进了光生电子和空穴的分离,产生大量的光生电子和空穴,生成活性极强的超氧自由基和羟基自由基,进行有机污染物降解过程。

主权项:1.一种SnS2-g-C3N4异质结光催化降解材料,包括以下配方原料及组分,其特征在于:蜂窝状Ag掺杂g-C3N4、碳纳米管、四氯化锡、巯基乙酸、十六烷基三甲基溴化铵。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 陈艮 一种SnS2-g-C3N4异质结光催化降解材料及其制法

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