申请/专利权人:南陵县巍曙新材料科技有限责任公司
申请日:2020-05-20
公开(公告)日:2020-07-28
公开(公告)号:CN111450871A
主分类号:B01J27/24(20060101)
分类号:B01J27/24(20060101);B01J35/10(20060101);C02F1/30(20060101);C02F101/30(20060101)
优先权:
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的撤回
法律状态:2022.05.31#发明专利申请公布后的撤回;2020.08.21#实质审查的生效;2020.07.28#公开
摘要:本发明涉及光催化剂技术领域,且公开了一种Mn掺杂g‑C3N4负载多孔ZnCo2O4的光催化材料,包括以下配方原料及组分:多孔纳米ZnCo2O4修饰碳纳米管、Mn掺杂多孔g‑C3N4。该一种Mn掺杂g‑C3N4负载多孔ZnCo2O4的光催化材料,Mn掺杂多孔g‑C3N4具有超高的比表面积,锰离子的掺杂调节了g‑C3N4的电荷排布和电子结构,降低了禁带宽度,多孔纳米ZnCo2O4修饰碳纳米管,与Mn掺杂多孔g‑C3N4复合,Mn掺杂多孔g‑C3N4与多孔纳米ZnCo2O4之间形成异质结结构,Mn掺杂g‑C3N4的离域π键可以捕获ZnCo2O4的光生电子,减少光生电子和空穴的重组,碳纳米管可以电子受体,促进光生电子向碳纳米管迁移,加速了光生电子和空穴的分离,使Mn掺杂g‑C3N4负载多孔ZnCo2O4的光催化材料表现出优异的光催化降解活性。
主权项:1.一种Mn掺杂g-C3N4负载多孔ZnCo2O4的光催化材料,包括以下原料及组分,其特征在于:多孔纳米ZnCo2O4修饰碳纳米管、Mn掺杂多孔g-C3N4,两者质量比为100:5-30。
全文数据:
权利要求:
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