申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2020-04-09

公开（公告）日：2020-07-28

公开（公告）号：CN111455467A

主分类号：C30B33/10(20060101)

分类号：C30B33/10(20060101);C30B29/06(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2022.05.27#发明专利申请公布后的驳回;2020.08.21#实质审查的生效;2020.07.28#公开

摘要：本发明提供一种单晶硅制绒添加剂，包括：溶剂以及质量比为0.25％～1.5％绒面催化剂、0.1％～3％环糊精和0.52％～1.9％绒面缓蚀剂。还提供一种单晶硅制绒方法，包括：将单晶硅片通过制绒剂制绒，其中，制绒剂包括溶剂以及质量百分比为0.5％～3％碱和体积百分比为0.1％～2％如上述单晶硅制绒添加剂。还提供一种绒面单晶硅片制备方法，包括：将单晶硅片在碱性环境中进行抛光，以去除单晶硅片损伤层；将去除损伤层单晶硅片在碱液中进行清洗，以去除单晶硅片表面杂质；将去除杂质单晶硅片采用如权利要求6～8任意一项单晶硅制绒方法进行制绒；将制绒后单晶硅片在碱液中进行清洗，以去除单晶硅片表面杂质；将去除杂质单晶硅片在酸液中进行清洗。本发明能够在单晶硅片表面制备均匀细密金字塔结构。

主权项：1.一种单晶硅制绒添加剂，其特征在于，包括：溶剂以及质量比为0.25％～1.5％的绒面催化剂、0.1％～3％的环糊精和0.52％～1.9％的绒面缓蚀剂。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 单晶硅制绒添加剂、制绒方法以及绒面单晶硅片制备方法

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