申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请日：2020-03-26

公开（公告）日：2020-07-28

公开（公告）号：CN111463346A

主分类号：H01L45/00(20060101)

分类号：H01L45/00(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.21#授权;2020.08.21#实质审查的生效;2020.07.28#公开

摘要：本发明涉及微纳电子技术领域，特别涉及一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器，所述OTS选通材料包括GeSe组分、As3Se4组分及掺杂元素M，所述OTS选通材料的化学通式为GeSexAs3Se4yMz，其中M为Ta、Si、Ge、Te、C、W、N、O、P中的一种或多种，x、y、z满足4x20，7y14，0z15，以及2x+7y+z＝100。本发明所提供OTS材料在外部电场作用下，当电压达到阈值电压时，材料能够实现高阻态到低阻态的瞬时转换；当撤掉外部能量时，又能够立刻由低阻态转变为高阻态。基于所述OTS材料制备的OTS选通单元具有高热稳定性、高开关速度、大开启电流、高开关比、低阈值电压、高循环寿命等优点，可用于高密度与三维海量相变存储器的制造。

主权项：1.一种OTS选通材料，其特征在于，所述OTS选通材料包括GeSe组分、As3Se4组分及掺杂元素M，所述OTS选通材料的化学通式为GeSexAs3Se4yMz，其中M为Ta、Si、Ge、Te、C、W、N、O和P中的一种或多种，x、y、z满足4x20，7y14，0z15，以及2x+7y+z＝100。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器

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