申请/专利权人：厦门大学

申请日：2020-04-10

公开（公告）日：2020-07-28

公开（公告）号：CN111455351A

主分类号：C23C16/455(20060101)

分类号：C23C16/455(20060101);C23C16/40(20060101);C23C16/34(20060101);C23C16/46(20060101);H01L21/02(20060101);H01L29/51(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2021.12.17#发明专利申请公布后的驳回;2020.08.21#实质审查的生效;2020.07.28#公开

摘要：本发明提供了一种氮化铝‑氧化铝薄膜及其制备方法和应用，属于电子器件技术领域。本发明提供的氮化铝‑氧化铝薄膜的制备方法先将衬底升温至150～350℃，得到待沉积硅衬底；在真空条件下，向原子层沉积室通入三甲基铝气流，得到第一原子沉积层；通过氮气流吹扫对原子层沉积室进行净化，然后向原子层沉积室通入氨水气流，得到第一氮化铝‑氧化铝沉积层；通过氮气流吹扫对原子层沉积室进行净化；重复通入三甲基铝气流‑净化‑通入氨水气流‑净化的步骤，在待沉积硅衬底上得到氮化铝‑氧化铝薄膜。本发明得到的氮化铝‑氧化铝薄膜具有较低的漏电流密度，介电性能优异。

主权项：1.一种氮化铝-氧化铝薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1在原子层沉积室内放置硅衬底，将所述硅衬底升温至150～350℃，得到待沉积硅衬底；2在真空条件下，向原子层沉积室通入三甲基铝气流，在待沉积硅衬底上得到第一原子沉积层；3通过氮气流吹扫对原子层沉积室进行净化，然后向原子层沉积室通入氨水气流，在待沉积硅衬底上得到第一氮化铝-氧化铝沉积层；所述氨水气流为氨和水蒸气的混合气流；4通过氮气流吹扫对原子层沉积室进行净化；5重复通入三甲基铝气流-净化-通入氨水气流-净化的步骤，在待沉积硅衬底上得到氮化铝-氧化铝薄膜，所述重复的次数为0次以上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门大学 一种氮化铝-氧化铝薄膜及其制备方法和应用

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