申请/专利权人：上海玺唐半导体科技有限公司

申请日：2020-05-13

公开（公告）日：2020-07-28

公开（公告）号：CN111455450A

主分类号：C30B7/10(20060101)

分类号：C30B7/10(20060101);C30B29/38(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.08.21#实质审查的生效;2020.07.28#公开

摘要：本发明提供一种GaN单晶生长装置及其加热方法，包括一密闭的热等静压容器、设置于热等静压容器内的高压釜以及环绕高压釜外壁设置的加热装置，所述高压釜与所述热等静压容器之间设置有气体循环装置，使得热等静压容器内部产生气体循环。本发明能够通过加热装置，实现对原料区和结晶区之间的温差进行精确控制；通过内循环装置，实现高压釜外部气体的对流循环；通过外循环装置，实现了热等静压容器内部与热等静压容器外部产生热交换，从而稳定控制热等静压容器内部的温度，以实现加速GaN单晶在结晶区内的生长；通过气体循环装置，实现对高压釜外的压力进行控制，保证了热等静压容器内压力始终大于高压釜内压力，使高压釜处于外压工况，提高了生产效率。

主权项：1.一种GaN单晶生长装置，其特征在于，包括一密闭的热等静压容器1、设置于热等静压容器1内的高压釜2以及环绕高压釜2外壁设置的加热装置207，所述高压釜2与所述热等静压容器1之间设置有气体循环装置3。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海玺唐半导体科技有限公司 一种GaN单晶生长装置及其加热方法

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