申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2019-01-18

公开（公告）日：2020-07-28

公开（公告）号：CN111463275A

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.09.12#授权;2020.08.21#实质审查的生效;2020.07.28#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底以及凸出于衬底的鳍部，鳍部露出的衬底上形成有隔离层，隔离层覆盖鳍部的部分侧壁；形成横跨鳍部的伪栅结构，包括伪栅层，伪栅结构覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁；在伪栅结构露出的衬底上形成层间介质层，层间介质层露出伪栅结构顶部；去除伪栅层，在层间介质层内形成开口；去除开口露出的部分厚度隔离层，在隔离层内形成凹槽；在凹槽和开口内形成栅极结构，栅极结构横跨鳍部且覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁。本发明实施例有利于降低鳍部内发生源漏穿通现象、关态漏电流问题的概率，提升半导体结构的电学性能。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述鳍部露出的衬底上形成有隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁；形成横跨所述鳍部的伪栅结构，包括伪栅层，所述伪栅结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；在所述伪栅结构露出的衬底上形成层间介质层，所述层间介质层露出所述伪栅结构顶部；去除所述伪栅层，在所述层间介质层内形成开口；去除所述开口露出的部分厚度隔离层，在所述隔离层内形成凹槽；在所述凹槽和开口内形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法

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