申请/专利权人：国立大学法人静冈大学

申请日：2018-12-07

公开（公告）日：2020-07-28

公开（公告）号：CN111466027A

主分类号：H01L27/146(20060101)

分类号：H01L27/146(20060101);H01L21/8238(20060101);H01L27/092(20060101);H01L31/10(20060101);H04N5/369(20060101);H04N5/374(20060101)

优先权：["20171208 JP 2017-236531"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.06.16#授权;2020.08.21#实质审查的生效;2020.07.28#公开

摘要：一种光电转换元件和固态摄像装置，具有：耗尽层扩大部10a、11，具有p型上部区域；p型光电转换层12，与耗尽层扩大部10a、11接触；以及n型表面埋设区域15，埋设于光电转换层12的上部，与光电转换层12形成光电二极管。第一p阱14a被第一n极耳13b包围，第一n极耳13b被第二p阱14b包围，第二p阱14b被第二n极耳13d包围，第二n极耳13d被第三p阱14c包围。通过注入阻止部13b、13d防止与信号电荷为相反导电型的载流子从第二p阱14b向光电转换层12的注入，通过施加于耗尽层扩大部10a、11的电压使光电转换层12中被耗尽。

主权项：1.一种光电转换元件，其特征在于，具备：耗尽层扩大部，具有第一导电型的上部区域；第一导电型的光电转换层，设置成与所述耗尽层扩大部的上表面接触，比所述上部区域的杂质密度低；第二导电型的表面埋设区域，埋设于所述光电转换层的上部的一部分，与所述光电转换层构成光电二极管；第一导电型的阱区，埋设于所述光电转换层的上部的另一部分，比所述光电转换层的杂质密度高；第二导电型的电荷存储区域，埋设于所述阱区的上部的一部分，暂时存储从所述表面埋设区域传送的、所述光电二极管生成的信号电荷；像素内电路元件，集成到所述阱区的一部分，构成从所述电荷存储区域读出所述信号电荷的电路；以及注入阻止部，在所述阱区的至少一部分中具有将所述阱区至少分割为两部分的第二导电型的极耳区域，防止非信号电荷从所述阱区向所述光电转换层的注入，所述非信号电荷由与所述信号电荷为相反导电型的载流子构成，通过施加于所述上部区域的电压，所述光电转换层中预定作为信号电荷生成区域的全部范围被耗尽。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 国立大学法人静冈大学 光电转换元件和固态摄像装置

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