申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日:2019-01-18
公开(公告)日:2020-07-28
公开(公告)号:CN111463202A
主分类号:H01L27/092(20060101)
分类号:H01L27/092(20060101);H01L29/417(20060101);H01L21/8238(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.08.18#授权;2020.08.21#实质审查的生效;2020.07.28#公开
摘要:一种半导体器件及其形成方法,其中,半导体器件包括:基底,所述基底包括相邻的第一区和第二区,所述第一区基底表面具有第一栅极结构,所述第二区基底表面具有第二栅极结构;分别位于所述第一栅极结构两侧基底内的第一开口;分别位于所述第二栅极结构两侧基底内的第二开口,所述第一开口的深度与第二开口的深度不同;位于所述第一开口内的第一源漏掺杂层;位于所述第二开口内的第二源漏掺杂层。所述半导体器件的性能较好。
主权项:1.一种半导体器件,其特征在于,包括:基底,所述基底包括相邻的第一区和第二区,所述第一区基底表面具有第一栅极结构,所述第二区基底表面具有第二栅极结构;分别位于所述第一栅极结构两侧基底内的第一开口;分别位于所述第二栅极结构两侧基底内的第二开口,所述第一开口的深度与第二开口的深度不同;位于所述第一开口内的第一源漏掺杂层;位于所述第二开口内的第二源漏掺杂层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体器件及其形成方法
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