申请/专利权人：夏泰鑫半导体(青岛)有限公司

申请日：2019-09-24

公开（公告）日：2020-07-28

公开（公告）号：CN111463168A

主分类号：H01L21/768(20060101)

分类号：H01L21/768(20060101);H01L23/532(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.08.21#实质审查的生效;2020.07.28#公开

摘要：本发明提供一种金属互连结构及其制备方法。所述方法包括：于介电层的其中一表面向内开设沟槽；于所述沟槽内形成三元合金层，所述三元合金层包括第一合金组分、第二合金组分和第三合金组分，所述第一合金组分为铜，所述第二合金组分为锰，所述第三合金组分为银、钛、铬、钴、镍、锆、钇、钌、铑、钯、镉、铱、铂、金、铝、镁及硒中的其中一种，所述第二合金组分在所述三元合金层中的原子百分含量为0‑15％，所述第三合金组分在所述三元合金层中的原子百分含量为6‑15％；对所述三元合金层在50‑800摄氏度的温度下进行热处理，得到晶种层。

主权项：1.一种金属互连结构的制备方法，其特征在于：包括：于介电层的其中一表面向内开设沟槽；于所述沟槽内形成三元合金层，所述三元合金层包括第一合金组分、第二合金组分和第三合金组分，所述第一合金组分为铜，所述第二合金组分为锰，所述第三合金组分为银、钛、铬、钴、镍、锆、钇、钌、铑、钯、镉、铱、铂、金、铝、镁及硒中的其中一种，所述第二合金组分在所述三元合金层中的原子百分含量为0-15％，所述第三合金组分在所述三元合金层中的原子百分含量为6-15％；以及对所述三元合金层在50-800摄氏度的温度下进行热处理，得到晶种层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 金属互连结构及其制备方法

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