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【发明公布】涂敷膜形成方法和涂敷膜形成装置_东京毅力科创株式会社_202010017203.7 

申请/专利权人:东京毅力科创株式会社

申请日:2020-01-08

公开(公告)日:2020-07-28

公开(公告)号:CN111463112A

主分类号:H01L21/027(20060101)

分类号:H01L21/027(20060101);H01L21/67(20060101);G03F7/16(20060101)

优先权:["20190118 JP 2019-007290"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.11.05#实质审查的生效;2020.07.28#公开

摘要:本发明提供一种在基片表面形成涂敷膜的涂敷膜形成方法,其包括:涂敷扩散步骤,在上表面具有开口的涂敷杯状体内,使基片以第1转速旋转,对基片的表面供给用于形成所述涂敷膜的涂敷液,使该涂覆液扩散;和干燥步骤,在所述涂敷扩散步骤之后,一边使基片以比所述第1转速低的第2转速旋转,一边从环状部件与基片表面之间的间隙进行排气,其中,所述环状部件以其中心与基片表面的中心位于同轴上的方式配置在基片的上方,且具有使其外周端部位于与基片的外周端部的位置相同或其外侧的位置的大小,在所述干燥步骤中,与所述涂敷扩散步骤中的涂敷杯状体内的排气相比以更高的压力进行排气。由此,能够在基片的面内快速形成均匀性良好的膜厚的涂敷膜。

主权项:1.一种在基片的表面形成涂敷膜的涂敷膜形成方法,其特征在于,包括:涂敷扩散步骤,在上表面具有开口的涂敷杯状体内,使所述基片以第1转速旋转,对所述基片的表面供给用于形成所述涂敷膜的涂敷液,并使该涂覆液扩散;和干燥步骤,在所述涂敷扩散步骤之后,一边使所述基片以比所述第1转速低的第2转速旋转,一边从环状部件与基片表面之间的间隙进行排气,其中,所述环状部件以其中心与基片表面的中心位于同轴上的方式配置在所述基片的上方,所述环状部件具有使其外周端部位于与所述基片的外周端部的位置相同的位置或位于比所述基片的外周端部靠外侧的位置的大小,在所述干燥步骤中,从所述间隙排出的空气的流速比从所述涂敷杯状体内的所述基片的上方供给到所述基片的空气的流速大。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 东京毅力科创株式会社 涂敷膜形成方法和涂敷膜形成装置

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