申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司

申请日：2020-04-22

公开（公告）日：2020-07-28

公开（公告）号：CN111463206A

主分类号：H01L27/108(20060101)

分类号：H01L27/108(20060101);H01L21/8242(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.03.29#授权;2020.08.21#实质审查的生效;2020.07.28#公开

摘要：本发明提供了一种存储器及其形成方法，绝缘图案至少覆盖间隔节点接触结构的第一开口的侧壁并向上延伸至高于所述节点接触结构，绝缘图案的上表面还往所述第一开口中凹陷以形成凹陷部，使得通过一层膜层即可替代现有的两个膜层构成的绝缘图案，从而省略了现有技术中研磨去除部分厚度的绝缘材料层以及重新形成掩模材料层的步骤，简化了存储器的制备工艺，提高了制备的效率，并且由于形成电容结构时通常会采用到多次研磨工艺使得衬底的表面平坦化，所以即使绝缘图案的表面不平整也不会对存储器的性能产生影响。

主权项：1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底；多个节点接触结构，从所述衬底上向上延伸；多个第一开口，位于相邻的节点接触结构之间以电性隔离所述节点接触结构；绝缘图案，位于所述第一开口，所述绝缘图案至少覆盖所述第一开口的侧壁并向上延伸至高于所述节点接触结构，所述绝缘图案的上表面还往所述第一开口中凹陷以形成凹陷部；以及，电容结构，位于所述节点接触结构上并电性连接所述节点接触结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 存储器及其形成方法

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