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【发明授权】半导体发光装置_三星电子株式会社_201610437305.8 

申请/专利权人:三星电子株式会社

申请日:2016-06-17

公开(公告)日:2020-07-28

公开(公告)号:CN106257696B

主分类号:H01L33/50(20100101)

分类号:H01L33/50(20100101)

优先权:["20150617 KR 10-2015-0086020"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.07.28#授权;2018.06.15#实质审查的生效;2016.12.28#公开

摘要:一种半导体发光装置,包括:发光堆叠件,其包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层以及布置在第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层;波长转换层,其布置在发光堆叠件上,并且被构造为将从有源层发射的具有第一波长的光中的至少一部分转换为具有第二波长的光;以及光控制层,其布置在发光堆叠件与波长转换层之间,并且包括第一绝缘层和第二绝缘层,第一绝缘层的折射率比发光堆叠件的折射率低,并且第二绝缘层的折射率比第一绝缘层的折射率高0.5或更多。

主权项:1.一种半导体发光装置,包括:发光堆叠件,其包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层和布置在第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层;波长转换层,其布置在发光堆叠件上,并且被构造为将从有源层发射的具有第一波长的光中的至少一部分转换为具有第二波长的光;以及光控制层,其布置在发光堆叠件与波长转换层之间,并且包括第一绝缘层和第二绝缘层;其中,第一绝缘层的折射率比发光堆叠件的折射率低,第二绝缘层的折射率比第一绝缘层的折射率高0.5或更多,第一绝缘层包括SiO2且第一绝缘层的厚度在2nm至70nm的范围内,第二绝缘层包括TiO2且第二绝缘层的厚度在105nm至135nm的范围内,以增大从发光堆叠件发射并入射至波长转换层的光的透射比以及增大从波长转换层发射并将要入射至发光堆叠件的光的反射比。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星电子株式会社 半导体发光装置

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