申请/专利权人：阿尔卑斯阿尔派株式会社

申请日：2016-05-16

公开（公告）日：2020-07-28

公开（公告）号：CN107636579B

主分类号：G06F3/041(20060101)

分类号：G06F3/041(20060101)

优先权：["20150626 JP 2015-128798"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.07.28#授权;2018.02.23#实质审查的生效;2018.01.26#公开

摘要：本发明提供一种输入装置，其能够不损害透光性以及导电性而使配线与基材一起弯曲，该输入装置具备：基材，其具有透光性以及挠性；多个第一电极部以及多个第二电极部，其具有透光性，且设置于基材上的检测区域；以及多个引出配线，其与多个第一电极部以及多个第二电极部分别导通，且从基材上的检测区域延伸至周边区域，在基材的周边区域设置有弯曲部，引出配线具有设置在弯曲部上的挠性层叠体，挠性层叠体具有设置在基材上的第一非晶ITO层、设置在第一非晶ITO层上的导电层、以及设置在导电层上的第二非晶ITO层。

主权项：1.一种输入装置，具备：基材，其具有透光性以及挠性；多个第一电极部，其具有透光性，且在所述基材上的检测区域中沿第一方向排列；多个第二电极部，其具有透光性，且在所述基材上的所述检测区域中沿与所述第一方向交叉的第二方向排列；以及多个引出配线，其与所述多个第一电极部以及所述多个第二电极部分别导通，从所述基材上的所述检测区域延伸至所述检测区域的外侧的周边区域，将所述第一电极部和所述第二电极部中的任一方的电极部彼此连结的连结部与所述任一方的电极部彼此形成为一体，在所述连结部上重叠形成有第一绝缘层和第一电桥连接层，所述第一电极部和所述第二电极部中的另一方的电极部彼此由于所述第一电桥连接层而导通，在所述第二电极部的内部形成有沿所述第一方向延伸的配线通路，所述多个引出配线中的通过所述配线通路内的所述引出配线与另一所述第二电极部导通，所述第二电极部具有由所述配线通路分割的多个分段电极，在所述配线通路和通过所述配线通路内的所述引出配线上重叠形成有第二绝缘层和第二电桥连接层，多个所述分段电极由于所述第二电桥连接层而导通，在所述基材的所述周边区域设置有弯曲部，所述引出配线具有设置在所述弯曲部上的挠性层叠体，所述挠性层叠体具有：设置在所述基材上的第一非晶ITO层；设置在所述第一非晶ITO层上的导电层；以及设置在所述导电层上的第二非晶ITO层。

全文数据：输入装置技术领域[0001]本发明涉及在具有透光性以及挠性的基材设置有检测用的多个电极部的输入装置。背景技术[0002]作为便携终端、各种电子设备等中使用的输入装置，多使用检测静电电容的触摸面板。在专利文献1中记载了如下的透明导电膜，该透明导电膜为了实现狭边框化以及薄型化，设置有下层配线部和上层配线部，并且使透明基板弯曲。[0003]另外，在专利文献2中记载了如下的触摸窗，该触摸窗具备:具有第一检测区域以及第二检测区域的基板、设置于第一检测区域且对位置进行检测的第一检测电极、以及设置于第二检测区域且对位置进行检测的第二检测电极。在该触摸窗中，第一检测电极的材料与第二检测电极的材料不同。另外，记载了第二检测电极从第一检测电极弯曲的结构。[0004]在先技术文献[0005]专利文献[0006]专利文献1:日本特开2013-186633号公报[0007]专利文献2:美国专利申请公开20150070312号公报发明内容[0008]发明所要解决的课题[0009]然而，对于作为透光性电极、引出配线而使用的ITO氧化铟锡；IndiumTinOxide、金属，在弯曲的情况下容易产生龟裂、导通不良，因此存在难以用于弯曲部分的问题。因此，在基材的弯曲部分设置配线的情况下，需要由容易弯曲的材料例如，导电性聚合物PED0TPSS等）、金属纳米线）形成配线。但是，当使用这种容易弯曲的材料时，存在透光性、导电性降低、难以实现细线化的课题。[0010]本发明的目的在于提供能够不损害透光性以及导电性而使配线与基材一起弯曲的输入装置。[0011]用于解决课题的方案[0012]为了解决上述课题，本发明的输入装置具备:基材，其具有透光性以及挠性；多个第一电极部，其具有透光性，且在基材上的检测区域中沿第一方向排列；多个第二电极部，其具有透光性，且在基材上的检测区域中沿与第一方向交叉的第二方向排列；以及多个引出配线，其与多个第一电极部以及多个第二电极部分别导通，从基材上的检测区域延伸至检测区域的外侧的周边区域。在基材的周边区域设置有弯曲部。引出配线具有设置在弯曲部上的挠性层叠体。挠性层叠体具有设置在基材上的第一非晶ITO层、设置在第一非晶ITO层上的导电层、以及设置在导电层上的第二非晶ITO层。[0013]根据这种结构，作为在基材的弯曲部设置的挠性层叠体，使用具有第一非晶ITO层、导电层以及第二非晶ITO层的层叠结构，因此即使在弯曲的情况下也能够维持透光性并且维持足够的电气特性。[0014]在本发明的输入装置中，也可以为，引出配线具有:设置在比弯曲部靠近检测区域侧的位置的第一配线部、以及设置在比弯曲部靠近与检测区域相反的一侧的位置的第二配线部，挠性层叠体位于第一配线部与第二配线部之间。由此，不再要求构成第一配线部以及第二配线部的材料的易弯曲度，能够提高材料的设计自由度。[0015]在本发明的输入装置中，也可以为，第一配线部以及第二配线部具有与挠性层叠体的端部连接的连接部，连接部的与挠性层叠体对置的面具备结晶化ITO的面。由此，能够实现引出配线的高透光性以及低电阻率，并且能够提高挠性层叠体与连接部的紧贴性。[0016]在本发明的输入装置中，也可以为，第一配线部包括结晶化ITO层。另外，也可以为，第二配线部包括结晶化ITO层。由此，第一配线部以及第二配线部的透光性以及导电性提尚。[0017]在本发明的输入装置中，也可以为，第一非晶ITO层与基材相接。由此，能够更稳定地提高挠性层叠体的对于弯曲的耐性。另外，在本发明的输入装置中，也可以为，导电层包含贵金属。由此，能够实现挠性层叠体的低电阻化。[0018]在本发明的输入装置中，即使弯曲部的曲率半径为5毫米mm以下也能够得到足够的电气特性。[0019]在本发明的输入装置中，也可以为，输入装置还具备:连结部，其将多个第一电极部之间连结；以及电桥连接部，其设置于多个第二电极部之间，经由绝缘层而与连结部交叉，电桥连接部由与挠性层叠体相同的材料形成。由此，能够通过与电桥连接部相同的工序形成挠性层叠体。[0020]发明效果[0021]根据本发明，可提供能够不损害透光性以及导电性而使配线与基材一起弯曲的输入装置。附图说明[0022]图1是例示应用了本实施方式所涉及的输入装置的电子设备的分解立体图。[0023]图2是图1的A-A线剖视图。[0024]图3的a以及b是例示挠性层叠体的示意剖视图。[0025]图4是示出电极的配置的示意俯视图。[0026]图5的a以及b是电桥配线部分的示意剖视图。具体实施方式[0027]以下，根据附图对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是，在以下的说明中，对相同的构件标注相同的附图标记，对于已经说明了的构件适当省略其说明。[0028]应用了输入装置的电子设备）[0029]图1是例示应用了本实施方式所涉及的输入装置的电子设备的分解立体图。[0030]图2是图1的A-A线剖视图。[0031]如图1以及图2所示，电子设备1具有框体3。框体3由主体壳体部3a与面板部3b的组合构成。需要说明的是，为了便于说明，主体壳体部3a仅在图2中用虚线示出。主体壳体部3a例如由合成树脂材料形成。主体壳体部3a形成为上方开口的箱形状。面板部3b配置为覆盖主体壳体部3a的开口部。[0032]面板部3b由玻璃、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂等透光性树脂材料形成。需要说明的是，本说明书中的“透光性”以及“透明”是指可见光线透过率为50%以上优选为80%以上）的状态。[0033]在面板部3b的内侧配置有具有透光性以及挠性的基材11。另外，在框体3的内部收纳有与基材11的端部接合的配线基板8。配线基板8例如为柔性配线基板。另外，在框体3的内部收纳有液晶显示面板或者电致发光显示面板等显示面板7。能够透过基材11和面板部3b从外侧目视观察显示面板7的显示图像。[0034]基材11的一部分借助例如高透明性粘接剂0CA:0pticallyClearAdhesive而粘接于面板部3b的内表面。基材11由具有挠性的PET聚对苯二甲酸乙二醇酯）膜、PC聚碳酸酯膜等具有透光性的树脂膜形成。基材11也可以包括在PET膜等的表面设置的光学调整层SiO2等）、涂层。在基材11的表面形成有多个第一电极部21和多个第二电极部31。[0035]多个第一电极部21在基材11上的检测区域SR中沿第一方向规则地排列。另外，多个第二电极部31在基材11上的检测区域SR中沿与第一方向交叉的第二方向规则地排列。需要说明的是，如图1所示，在本实施方式所涉及的电子设备1中，第一方向与第二方向正交。在基材11设置有与上述第一电极部21以及第二电极部31分别导通的多个引出配线14。引出配线14从基材11的检测区域SR延伸至检测区域SR的外侧的周边区域0R。静电电容型的输入装置10包括上述基材11、第一电极部21、第二电极部31以及引出配线14。关于第一电极部21、第二电极部31以及引出配线14的详细情况后文叙述。[0036]在本实施方式中，在基材11的周边区域OR设置有弯曲部BR。基材11在弯曲部例如弯曲90度左右。引出配线14具有:设置在比弯曲部BR靠近检测区域SR侧的位置的第一配线部141、设置在比弯曲部BR靠近与检测区域SR相反的一侧的位置的第二配线部142、以及位于第一配线部141与第二配线部142之间且设置在弯曲部BR上的挠性层叠体15。[0037]图3的a以及b是例示挠性层叠体15的示意剖视图。[0038]在图3的a中示出基材11未弯曲的状态，在图3的b中示出基材11弯曲的状态。[0039]设置在弯曲部BR上的挠性层叠体15具有:设置在基材11上的第一非晶ITO层151、设置在第一非晶ITO层151上的导电层152、以及设置在导电层152上的第二非晶ITO层153。[0040]优选第一非晶ITO层151具有与基材11相接的部分。由此，能够更稳定地提高挠性层叠体15的对于弯曲的耐性。导电层152使用电阻率比第一非晶ITO层151低的导电性材料。导电层152例如使用Au、Ag、Cu、Pt、Pd等贵金属、Ni、包括它们的至少一方的合金作为具体例可以列举CuNi合金）。在本实施方式中，作为导电层152使用Au。导电层152可以具有层叠结构。[0041]第二非晶ITO层153设置在导电层152上，从而实现抑制从外侧目视观察到导电层152的作用。在第一配线部141的端部设置有连接部141a，在第二配线部142的端部设置有连接部142a。挠性层叠体15的两端与上述连接部141a、142a连接。需要说明的是，在第二配线部142的与连接部142a相反的一侧的端部142b设置有金属层142c。该金属层142c构成与设置于配线基板8的金属端子8a连接的端子部的一部分。[0042]连接部141a、142a的与挠性层叠体15对置的面优选具备结晶化ITO的面，更优选由结晶化ITO的面构成。由此，挠性层叠体15的第一非晶ITO层151与连接部141a、142a的紧贴性连接强度提高。[0043]引出配线14的第一配线部141可以包括结晶化ITO层。并且，引出配线14的第二配线部142也可以包括结晶化ITO层。由此，能够实现第一配线部141以及第二配线部142的透光性的提高以及低电阻化，并且能够在同一工序中形成第一配线部141以及第二配线部142,并且形成由结晶化ITO层构成的连接部141a、142a。[0044]作为具体例，第一配线部141由结晶化ITO形成。第二配线部142的连接部142a侧由结晶化ITO形成，与连接部142a相反的一侧的端部142b侧由结晶化ITO层以及形成在该结晶化ITO层上的金属层142c例如，CuNiCuCuNi的层叠结构形成。[0045]作为挠性层叠体15,通过设为第一非晶ITO层151、导电层152以及第二非晶ITO层153的层叠结构，能够同时实现由非晶ITO带来的透明性和挠性、以及由导电层152带来的低电阻化。例如，即使在将基材11的弯曲部BR的曲率半径设为5mm以下的情况下，也能够得到对于机械的断裂、电气的切断的足够的耐性。换句话说，通过在弯曲部BR设置挠性层叠体15,能够在维持透光性以及导电性的状态下使基材11弯曲。[0046]电极以及配线）[0047]接下来，对第一电极部21、第二电极部31以及引出配线14的详细情况进行说明。[0048]图4是示出电极的配置的示意俯视图。[0049]图5的a以及b是电桥配线部分的示意剖视图。[0050]如图4所示，在基材11形成有沿基材11的表面的第一方向（Y方向）延伸的第一电极列20、以及沿第二方向（X方向）延伸的第二电极列30。在第一电极列20中，一体形成有多个第一电极部21、以及将第一电极部21沿Y方向连结的连结部22。第一电极列20设置有yl、y2、y3这三列，但该数量根据输入装置10的面积来选择。[0051]第一电极部21呈大致正方形或者大致菱形），大致正方形的角部朝向X方向和Y方向。连结部22将在Y方向上相邻的第一电极部21的角部彼此连结。[0052]第二电极列30沿着XI、x2、x3、x4这四列朝向X方向以均等的间距规则地排列，并且沿着ya、yb、yc、yd的各列朝向Y方向以均等的间距规则地排列。X方向以及Y方向的各列的数量根据输入装置10的面积来选择。第二电极部31呈大致正方形或者大致菱形），各角部朝向X方向和Y方向。第一电极部21以及第二电极部31的四边形的各边的大小相互一致。[0053]对于第二电极部31，有的在其中央部形成有配线通路32。对形成有配线通路32的第二电极部标注附图标记31A，从而与不具有配线通路32的第二电极部31进行区别。[0054]在第二电极部31A中，配线通路32以沿Y方向直线地延伸的方式形成。配线通路32以能够将第二电极部31A在X方向上均等地分割的方式形成在X方向上的中央部。第二电极部31A被配线通路32分割为两个分段电极层33、33。[0055]第一电极部21、连结部22以及第二电极部31、31A由相同的透光性的导电材料形成。透光性的导电材料为ΙΤ0、以银纳米线为代表的金属纳米线、形成为网格状的薄金属、或者导电性聚合物等。[0056]在图5的（a中示出图4的yl列的第一电极列20与x2列的第二电极列30的交叉部B-B线）的层叠结构的剖视图。在该交叉部形成有覆盖第一电极列20的连结部22的透光性的第一绝缘层41。在第一绝缘层41上形成有第一电桥连接层42。通过第一电桥连接层42,将在连结部22的X方向的两侧相邻的第二电极部31彼此连接并导通。[0057]在第一电极列20与第二电极列30的全部的交叉部形成有第一绝缘层41以及第一电桥连接层42,从而在xl列中排列的第二电极部31、31A沿X方向连结。同样，在x2、x3、x4列中，第二电极部31、31A沿X方向连结。[0058]透光性的第一绝缘层41由酚醛树脂构成或者由酚醛树脂与丙烯酸树脂构成。第一电桥连接层42采用与挠性层叠体15相同的层结构。即，第一电桥连接层42具有第一非晶ITO层151、导电层152以及第二非晶ITO层153的层叠结构。[0059]在第一电极部21、连结部22以及第二电极部31由ITO层形成的情况下，通过由结晶化ITO形成上述构件，能够选择构成第一电极部21、连结部22以及第二电极部31的结晶化ITO层、以及构成第一绝缘层41的材料进行蚀刻。另外，第一配线部141以及第二配线部142的与挠性层叠体15连接的连接部141a、142a中的与挠性层叠体15对置的面优选由结晶化ITO的面构成，因此通过由结晶化ITO构成第一电极部21、连结部22以及第二电极部31，能够通过结晶化ITO—体地形成第一电极部21、连结部22、第二电极部31、以及第一配线部141及第二配线部142的包括连接部141a、142a的部分。[0060]需要说明的是，也可以在第一电极列20与第二电极列30的交叉部，与第二电极部31、31A—体地形成有将在X方向上相邻的第二电极部31、31A彼此连结的连结部，多个第二电极部31、31A在X方向上连续地形成。在该情况下，相互独立的第一电极部21隔着所述连结部配置在Y方向的两侧，在连结第二电极部31、31A的连结部上形成有第一绝缘层41和第一电桥连接层42,通过第一电桥连接层42将在Y方向上相邻的第一电极部21彼此连接。[0061]如图4所示，在基材11的Y方向的一端形成的周边区域OR形成有与y1列的第一电极部21—体地形成的第一配线层25a、以及与y2、y3列的第一电极部21分别一体地形成的第一配线层25b、25c。另外，在周边区域OR形成有分别与第二电极列30导通的第二配线层35a、3513、35：、351。第一配线层253、2513、253以及第二配线层353、3513、353、351分别为引出配线14〇[0062]第一配线层25a、25b、25c与第二配线层35、3513、35〇、351在周边区域01?走线，与设置于周边区域OR的第二配线部142的金属层142c导通。[0063]如图4所示，第二配线层35a与位于xl列与ya列的交点的第二电极部31—体地形成。第二配线层35b与位于x2列与yb列的交点的第二电极部31—体地形成。该第二配线层35b通过在位于xl列与yb列的交点的第二电极部31A形成的配线通路32的内部向Y方向直线地延伸并到达周边区域0R。[0064]第二配线层35c与位于x3列与yc列的交点的第二电极部31—体地形成。该第二配线层35c通过在位于x2列与yc列的交点的第二电极部3IA形成的配线通路32、在位于xl列与yc列的交点的第二电极部31A形成的配线通路32的内部向Y方向直线地延伸并到达周边区域0R。[0065]第二配线层35d与位于x4列与yd列的交点的第二电极部31—体地形成。该第二配线层35d通过在位于x3列与yd列的交点的第二电极部3IA形成的配线通路32、在位于x2列与yd列的交点的第二电极部31A形成的配线通路32、以及在位于xl列与yd列的交点的第二电极部31A形成的配线通路32的内部向Y方向直线地延伸并到达周边区域0R。[0066]第二配线层35a与构成位于xl列的第二电极列30的各第二电极部31、31A导通，第二配线层3513、35〇、351与构成位于12、13、14列的第二电极列30的各第二电极部31、3]^分别导通。第二配线层35、3513、35：、351均由构成第二电极部31的透光性的导电材料与第二电极部31—体地形成。[0067]图5的（b示出了图4的x3列的第一电极列20与yd列的第二电极列30的交叉部C-C线）的层叠结构的剖视图。[0068]第二电极部31A被配线通路32二分为分段电极层33、33。在配线通路32和第二配线层35d上形成有第二绝缘层43,在该第二绝缘层43上形成有第二电桥连接层44。被配线通路32分割的分段电极层33、33由第二电桥连接层44连接，由此第二电极部31A整体能够作为一个电极层而发挥功能。这对于设置在其他部位的全部第二电极部31A是相同的。[0069]图5的（b所示的第二绝缘层43由与图5的（a所示的第一绝缘层41相同的材料通过相同的工序而形成。图5的b所示的第二电桥连接层44由与图5的a所示的第一电桥连接层42相同的材料通过相同的工序而形成。[0070]在输入装置10的制造工序中，使用在基材11的表面设置有由ITO等透光性的导电材料构成的层而成的材料。优选的透光性的导电材料为结晶化ΙΤ0。通过对该导电材料进行蚀刻，从而形成第一电极列20、第二电极列30、第一配线层25a、25b、25c以及第二配线层35、3513、35〇、351。另外，还形成第一配线部141以及第二配线部142的一部分。[0071]之后，在基材11上形成酚醛树脂和丙烯酸树脂的树脂层，在光刻工序中，同时对第一绝缘层41以及第二绝缘层43进行图案化。并且，形成电桥连接层用的层叠体，通过蚀刻工序，同时形成第一电桥连接层42以及第二电桥连接层44。电桥连接层用的层叠体还形成于周边区域0R。然后，通过与利用蚀刻形成第一电桥连接层42以及第二电桥连接层44的工序相同的工序，以将第一配线部141的连接部141a以及第二配线部142的连接部142a相连的方式形成挠性层叠体15。[0072]在输入装置10中，能够透过输入装置10和面板部3b从外部目视观察显示面板7的显示图像。通过一边观察该显示一边用手指触碰面板部3b，能够对输入装置10进行操作。[0073]该输入装置10在第一电极列20与第二电极列30之间形成有静电电容。对第一电极列20与第二电极列30中的任一方的电极列依次施加脉冲状的驱动电力，在施加驱动电力时检测在另一方的电极列中流通的检测电流。当手指接近时，在手指与电极层之间形成有静电电容。由此，检测电流发生变化。通过检测该检测电流的变化，能够检测手指接近面板部3b的哪个位置。[0074]在第二电极部31A形成有沿Y方向贯通的配线通路32,因此与不具有配线通路32的电极部相比实质上面积变小，在检测动作中，存在各个电极层的灵敏度不均的可能性。因此，在未形成有配线通路32的第二电极部31形成有开口部31b，从而在具有配线通路32的第二电极部31A与不具有配线通路32的第二电极部31之间几乎不产生面积之差。[0075]并且，在第一电极部21也形成有开口部21b，从而在第一电极部21与第二电极部31A之间，面积之差不会有很大不同。[0076]在输入装置10中，第二配线层358、3513、35〇、351通过在第二电极部3]^形成的配线通路32的内部向Y方向延伸。第二配线层35b、35c、35d在X方向的两侧被第二电极部31A的分段电极层33、33夹持，因此能够减少第二配线层35b、35c、35d与第一电极部21相邻的区域。由此，能够降低第二配线层35b、35c、35d与第一电极部21的静电耦合。因此，能够抑制第二配线层35b、35c、35d的走线部分具有多余的灵敏度的情况，在第一电极列20与第二电极列30之间检测出的原本的检测输出中不易重叠有噪声。由此，能够提高检测精度。[0077]另外，第二配线层35b、35c、35d通过第二电极部31A的内部，因此无需在相邻的电极层之间形成用于使第二配线层通过的通路。由此，第一电极部21以及第二电极部31的配置不会因第二配线层的走线而受到制约。例如，能够将第一电极部21以及第二电极部31相互接近地配置，从而能够提高检测动作的分辨率。[0078]实施例）[0079]接下来，对在基材11的弯曲部BR形成的配线的弯曲试验的结果进行说明。[0080]进行了试验的配线图案如下所述。[0081]在共用的基材11上形成以下的配线图案。需要说明的是，基材11为厚度50μπι的PET膜。[0082]1配线图案Pl:结晶化ITO层（宽度40μπι[0083]⑵配线图案Ρ2:结晶化ITO层（宽度ΙΟΟμπι[0084]⑶配线图案Ρ3:结晶化ITO层+金属层（宽度30μπι[0085]⑷配线图案Ρ4:结晶化ITO层+金属层（宽度40μπι[0086]⑶配线图案Ρ5:结晶化ITO层+金属层（宽度ΙΟΟμπι[0087]⑶配线图案Ρ6:挠性层叠体15宽度15μπι[0088]⑵配线图案Ρ7:挠性层叠体15宽度40μπι[0089]⑶配线图案Ρ8:挠性层叠体15宽度ΙΟΟμπι[0090]在上述样本中，结晶化ITO层的厚度为25nm。金属层为从接近结晶化ITO层的一方起依次为CuNi厚度40nmCu厚度120nmCuNi厚度IOnm的层叠体。挠性层叠体15为从接近基材11的一方起依次为非晶ITO层厚度12nmAu厚度13nm非晶ITO层厚度35nm的层叠体。[0091]在本实施例中，形成有三个在共用的基材11上形成有上述配线图案Pl〜P8的样本。三个样本为第一样本、第二样本以及第三样本。仅在第三样本中，作为各配线图案P6〜P8的基底而形成有绝缘膜。即，在第一以及第二样本中，各配线图案Pl〜P8与基材11相接，在第三样本中，配线图案Pl〜P5与基材11相接，在各配线图案P6〜P8与基材11之间夹设有绝缘膜。[0092]对于上述第一、第二以及第三样本，依据JISK5600-5-l:1999而进行了心轴试验。[0093]在心轴试验中，通过的各种直径的心轴进行弯曲试验，对各个样本调查电阻值变化率通过[{弯曲试验后的电阻值弯曲试验前的电阻值-1}X100]计算出的百分率）。需要说明的是，在本实施例中，将电阻值变化率为10%以下的情况判断为“良”，将电阻值变化率大于10%的情况判断为“不良”。[0094]在表1中示出关于第一样本的心轴试验的结果，在表2中示出关于第二样本的心轴试验的结果，在表3中不出关于第三样本的心轴试验的结果。在表1、表2以及表3中，“〇”表示“良”，“X”表示“不良”。[0095][表1][0096][0101]在上述心轴试验中，对于配线图案P3〜P8,在第一至第三样本的任一个中，对于从cp32mm至p2mm的全部直径的心轴为“良”。另一方面，对于配线图案Pi，在第一至第三样本的任一个中，在f4mm以下时为“不良”。对于配线图案P2,在第一至第三样本的任一个中，在φ4ηιιη以下时为“不良”。[0102]对上述第一、第二以及第三样本进行反复弯折试验。[0103]在反复弯折试验中，沿着具有约CplOmm的曲面的台端部反复将样本弯折约180度、拉展，调查反复次数与电阻值变化率通过[K规定次数的反复弯折试验后的电阻值反复弯折试验前的电阻值-1}X100]计算出的百分率之间的关系。需要说明的是，在本实施例中，将电阻值变化率为10%以下的情况判断为“良”，将电阻值变化率大于10%的情况判断为“不良”。[0104]在表4中示出关于第一样本的反复弯折试验的结果，在表5中示出关于第二样本的反复弯折试验的结果，在表6中示出关于第三样本的反复弯折试验的结果。在表4、表5以及表6中，“〇”表示“良”，“X”表示“不良”。“空栏”表示没有测定数据。[0105][表4][0106][0111]在上述反复弯折试验中，关于表1以及表2所示的第一以及第二样本基材11与各配线图案Pl〜P8相接的情况），对于配线图案P6〜P8而言，在第一以及第二样本中，即使进行了30000次的弯折也判断为“良”，即电阻值变化率不大于10%。另一方面，对于配线图案Pl，在第一样本中因小于10次的弯折而成为“不良”，在第二样本中因小于1000次的弯折而成为“不良”。对于配线图案P2,在第一样本中因小于100次的弯折而成为“不良”，在第二样本中因小于1000次的弯折而成为“不良”。[0112]对于配线图案P3,在第一样本中因小于1000次的弯折而成为“不良”，在第二样本中因小于100次的弯折而成为“不良”。对于配线图案P4,在第一样本中因小于1000次的弯折而成为“不良”，在第二样本中因小于10000次的弯折而成为“不良”。对于配线图案P5,在第一以及第二样本中因小于10000次的弯折而成为“不良”。[0113]在表3示出的第三样本在各配线图案P6〜P8与基材11之间夹设有绝缘层的情况）中，对于配线图案P6〜P8,即使进行1000次的弯折也判断为“良”。需要说明的是，配线图案P7以及P8即使进行20000次的弯折也判断为“良”。另一方面，对于配线图案Pl，因小于10次的弯折而成为“不良”，对于配线图案P2,因小于100次的弯折而成为“不良”，对于配线图案P3以及P4,因小于1000次的弯折而成为“不良”，配线图案P5因小于10000次的弯折而成为“不良”。[0114]这样，在第一、第二以及第三样本中的任一方的情况下，通过将如配线图案P6〜P8那样的挠性层叠体15设置于基材11的弯曲部BR，从而即使在将基材11弯折至曲率半径为2mm左右、反复弯折的情况下，也能够维持良好的导通性。另外，根据第一以及第二样本、第三样本的测定结果，可知通过使基材11与挠性层叠体15相接，能够进一步提高对于弯曲的耐性。[0115]如以上说明那样，根据实施方式，能够提供能够不损害透光性以及导电性而使配线与基材一起弯曲的输入装置。[0116]需要说明的是，以上对本实施方式及实施例进行了说明，但本发明不限定于这些例子。例如，对于本领域技术人员对前述的实施方式或实施例适当进行构成要素的追加、删除、设计变更的方式、将实施方式或实施例的结构例的特征适当组合而成的方式而言，只要具备本发明的主旨，则均包含于本发明的范围。[0117]附图标记说明[0118]1…电子设备；3…框体；3a···主体壳体部；3b···面板部；7…显不面板;8…配线基板;8a···金属端子；10···输入装置；11···基材；14···弓丨出配线；15···烧性层叠体;20···第一电极列；21···第一电极部;21b…开口部;22···连结部;25a、25b、25c…第一配线层;30···第二电极列；31···第二电极部;3IA…第二电极部;3Ib…开口部;32···配线通路;33···分段电极层；35、3513、35〇、35小"第二配线层;41‘"第一绝缘层;42‘"第一电桥连接层;43‘"第二绝缘层；44…第二电桥连接层；141…第一配线部；141a、142a…连接部；142…第二配线部；142c···金属层；152…导电层;BR···弯曲部；15l···第一非晶ITO层；153···第二非晶ITO层;OR···周边区域;SR···检测区域。

权利要求：1.一种输入装置，具备：基材，其具有透光性以及挠性；多个第一电极部，其具有透光性，且在所述基材上的检测区域中沿第一方向排列；多个第二电极部，其具有透光性，且在所述基材上的所述检测区域中沿与所述第一方向交叉的第二方向排列；以及多个引出配线，其与所述多个第一电极部以及所述多个第二电极部分别导通，从所述基材上的所述检测区域延伸至所述检测区域的外侧的周边区域，在所述基材的所述周边区域设置有弯曲部，所述引出配线具有设置在所述弯曲部上的挠性层叠体，所述挠性层叠体具有：设置在所述基材上的第一非晶ITO层；设置在所述第一非晶ITO层上的导电层；以及设置在所述导电层上的第二非晶ITO层。2.根据权利要求1所述的输入装置，其中，所述引出配线具有:设置在比所述弯曲部靠近所述检测区域侧的位置的第一配线部、以及设置在比所述弯曲部靠近与所述检测区域相反的一侧的位置的第二配线部，所述挠性层叠体位于所述第一配线部与所述第二配线部之间。3.根据权利要求2所述的输入装置，其中，所述第一配线部以及所述第二配线部分别具有与所述挠性层叠体的端部连接的连接部，所述连接部的与所述挠性层叠体对置的面具备结晶化ITO的面。4.根据权利要求2或3所述的输入装置，其中，所述第一配线部包括结晶化ITO层。5.根据权利要求4所述的输入装置，其中，所述第二配线部包括结晶化ITO层。6.根据权利要求1至5中任一项所述的输入装置，其中，所述第一非晶ITO层与所述基材相接。7.根据权利要求1至6中任一项所述的输入装置，其中，所述导电层包含贵金属。8.根据权利要求1至7中任一项所述的输入装置，其中，所述弯曲部的曲率半径为5毫米以下。9.根据权利要求1至8中任一项所述的输入装置，其中，所述输入装置还具备：连结部，其将所述多个第一电极部之间连结；以及电桥连接部，其设置于所述多个第二电极部之间，经由绝缘层而与所述连结部交叉，所述电桥连接部由与所述挠性层叠体相同的材料形成。

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