申请/专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司

申请日：2018-01-25

公开（公告）日：2020-07-31

公开（公告）号：CN108305959B

主分类号：H01L51/56(20060101)

分类号：H01L51/56(20060101);H01L51/52(20060101);H01L27/32(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.07.31#授权;2018.08.14#实质审查的生效;2018.07.20#公开

摘要：本发明公开一种OLED阳极及其制造方法、OLED基板的制造方法。所述OLED阳极的制造方法包括：形成第一导电图案；采用物理气象沉积PVD工艺在第一导电图案上形成反射层，所述PVD工艺的压强为0.8～1Pa、功率为2～4kw、惰性气体的流量为100～150sccm；在反射层上形成第二导电图案。基于此，本发明能够降低反射层中晶粒大小的均一性，提高反射层对可见光的反射率，改善OLED面板的发光效率。

主权项：1.一种OLED阳极的制造方法，其特征在于，所述方法包括：形成第一导电图案；采用物理气象沉积PVD工艺在第一导电图案上形成反射层，其中所述PVD工艺的压强为0.8～1Pa帕斯卡、功率为2～4kw千瓦、惰性气体的流量为100～150sccm每分钟标准毫升，以使得所述反射层中晶粒大小的均一性至少低于5％；其中所述晶粒的均一性满足以下关系式：R1-R22*R0*100％，R1为所述晶粒粒径的最大值，R2为所述晶粒粒径的最小值，R0为所有所述晶粒粒径的平均值；在所述反射层上形成第二导电图案。

全文数据：OLED阳极及其制造方法、OLED基板的制造方法技术领域[0001]本发明涉及显示领域，具体涉及一种OLEDOrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管阳极及其制造方法、OLED基板的制造方法。背景技术[0002]与传统的液晶显示面板相比，0LED面板具有反应速度快、对比度高、视角广等优势，被视为下一代显示技术。0LED面板的发光原理是:对阳极和阴极施加电压，在电压驱动下，电子的空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层，在迁移至发光层，并在发光层相遇，形成激子并使发光分子激发以发出可见光。[0003]在顶发光式Topemission0LED面板的结构设计中，由于银Ag具有良好的导电性和反射性，其被广泛应用于制造阳极anode。但是，在目前采用银形成反射层的工艺中，如图1所示，沉积形成的晶粒11的均一性uniformity较差，一般为30%左右，晶粒11排布不整齐，对光的反射性不理想，例如在可见光波长为550nm时的反射率仅为97%左右，这无疑会影响0LH面板的发光效率。发明内容[0004]鉴于此，本发明提供一种0LED阳极及其制造方法、0LED基板的制造方法，能够降低反射层中晶粒的均一性，提高反射层对可见光的反射率，改善〇Lm面板的发光效率。[0005]本发明一实施例的0LED阳极的制造方法，包括：[0006]形成第一导电图案；[0007]采用PVDPhysicalVaporD印osition，物理气象沉积工艺在第一导电图案上形成反射层，PVD工艺的压强为0.8〜lPa帕斯卡）、功率为2〜4kw千瓦）、惰性气体的流量为100〜150sccm每分钟标准毫升）；[0008]在所述反射层上形成第二导电图案。[0009]本发明一实施例的OLED基板的制造方法，包括：[0010]提供衬底基材；[0011]在所述衬底基材上形成TFT;[0012]形成覆盖所述TFT的平坦层，所述平坦层开设有暴露所述TFT的漏极图案的跨接孔；[0013]在所述平坦层上形成第一导电图案，所述第一导电图案覆盖所述跨接孔且与所述TFT的漏极图案接触；[0014]采用物理气象沉积PVD工艺在第一导电图案上形成反射层，其中所述PVD工艺的压强为0.8〜IPa、功率为2〜4kw、惰性气体的流量为1〇〇〜I50sccm;[0015]在所述反射层上形成第二导电图案；[0016]形成覆盖所述平坦层的像素定义层，所述像素定义层开设有开口区，所述开口区暴露所述第二导电图案；[0017]在所述第二导电图案上形成有机发光图案。[0018]本发明一实施例的OLED阳极，包括依次层叠设置的第一导电图案、反射层和第二导电图案，所述反射层中晶粒大小的均一性至少低于5%。[0019]有益效果:本发明在采用PVD工艺形成反射层的过程中，设计PVD工艺的压强为0.8〜IPa、功率为2〜4kw、惰性气体的流量为1〇〇〜15〇seem，反射层中的晶粒排布整齐，能够降低反射层中晶粒的均一性，从而可以提高反射层对可见光的反射率，改善0LED面板的发光效率。附图说明[0020]图1是现有技术的反射层中晶体的排布示意图；[0021]图2是本发明一实施例的0LED阳极的制造方法的流程示意图；[0022]图3是本发明一实施例的0LED阳极的结构示意图；[0023]图4是基于图2所示方法制造的反射层的晶体的排布示意图；[0024]图5是本发明一实施例的OLED面板的制造方法的流程示意图；[0025]图6是基于图5所示方法制造OLED面板的场景示意图。具体实施方式[0026]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明所提供的各个示例性的实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。在不冲突的情况下，下述各个实施例以及实施例中的特征可以相互组合。并且，本发明全文所采用的方向性术语，例如“上”、“下”等，均是为了更好的描述各个实施例的技术方案，并非用于限制本发明的保护范围。[0027]图2是本发明一实施例的0LED阳极的制造方法的流程示意图，图3是本发明一实施例的0LED阳极的结构示意图。请参阅图2和图3，所述OLED阳极的制造方法包括步骤S21〜S23〇[0028]S21:形成第一导电图案。[0029]S22:采用PVD工艺在第一导电图案上形成反射层，PVD工艺的压强为0.8〜IPa、功率为2〜4kw、惰性气体的流量为1〇〇〜150sccm。[0030]S23:在反射层上形成第二导电图案。[0031]如图3所示，第一导电图案31和第二导电图案33的材质可以相同，也可以不相同。本实施例根据不同的材质可以选择合适的制造工艺。例如，对于ITOIndiumTinOxide,氧化铟锡），本实施例可以采用派射、蒸镀等任一种工艺形成第一导电图案31和第二导电图案33〇[0032]为了便于描述相对于现有技术的改进，本实施例以反射层32的材质为银为例进行说明。在采用PVD工艺制造反射层32的过程中，借助于惰性气体例如氩气辉光放电，银汽化蒸发离子化，离子经电场加速，以较高能量轰击第一导电图案31的上表面，从而沉积形成所述反射层32。在本实施例中，PVD工艺所需的条件为:压强为0.8〜IPa、功率为2〜4kw、惰性气体的流量为1〇〇〜15〇sccm。在该条件下，如图4所示，晶粒银晶粒40排布整齐，在反射层32中晶粒40的均一性较低，具体为至少低于5%。晶粒40的均一性满足以下关系式：[0033]Ri-R22*R〇*100%[0034]其中，Ri为晶粒40粒径的最大值，R2为晶粒40粒径的最小值，Ro为所有晶粒40粒径的平均值。[0035]反射层32中晶粒40的均一性越低，表示晶粒40的粒径大小越均匀，反射层32的反射率越高。因此，本实施例能够提高反射层32对可见光的反射率。例如，在可见光波长为550nm时，反射层32的反射率可以达到99%左右。[0036]通过上述方式，本实施例即可制得图3所示的0LED阳极。在采用上述方法制得的OLm阳极中，鉴于其包括依次层叠的第一导电图案31、反射层32和第二导电图案33,且反射层32中晶粒40大小的均一性至少低于5%，因此，该0LED阳极也至少具有上述有益效果。[0037]图5是本发明一实施例的0LED面板的制造方法的流程示意图，图6是基于图5所示方法制造OLm面板的场景示意图。请参阅图5和图6，所述0LED阳极的制造方法包括步骤S51〜S58。[0038]S51:提供衬底基材。[0039]衬底基材60可以为玻璃基体、塑料基体或可挠式基体等透光基体。[0040]S52:在所述衬底基材上形成TFT。[OO41]首先，本实施例可以米用CVDChemicalVaporDeposition,化学气相沉积）工艺在衬底基材60上形成缓冲层61，该缓冲层61为覆盖衬底基材60的一整面结构。其中，所述缓冲层61的材质可以为硅氧化物Si0x，当然，缓冲层61也可以包括依次形成于衬底基材60上的硅氧化合物层和硅氮化合物，例如Si02二氧化娃和Si3N4三氮化娃），以此提高缓冲层61的耐磨损能力和绝缘性能。[0042]然后，在缓冲层61形成具有预定图案的半导体图案62,具体而言，本实施例可采用PVD工艺形成覆盖缓冲层61的一整面非晶硅a-Si层，再通过图案化工艺形成预定图案的非晶桂图案，接着对非晶娃图案进行退火处理，例如ELAExcimerLaserAnneal,准分子激光退火处理，使其结晶形成多晶硅p-Si图案，即半导体图案62。[0043]进一步地，本实施例可以采用CVD工艺在缓冲层61上形成栅极绝缘层（GateInsulationLayer，GI63,其为覆盖缓冲层61的一整面结构，当然也就覆盖半导体图案62。所述栅极绝缘层63可以包括依次形成于缓冲层61上的硅氧化合物层和硅氮化合物，例如Si02和Si3N4,以此提高栅极绝缘层63的耐磨损能力和绝缘性能。[0044]接着，在栅极绝缘层63上形成栅极图案64,所述栅极图案64位于半导体图案62的上方。[0045]继而，在棚极图案64上形成介质隔1¾层（InterlayerDielectricLayer，IDL65，该介质隔离层65为覆盖栅极绝缘层63的一整面结构，其材质可以包括硅氧化合物层和硅氮化合物，例如Si02和Si.。[0046]本实施例可以通过涂布光阻、曝光、显影、刻蚀的方式形成分别位于栅极图案64两侧的两个通孔，这两个通孔均贯穿介质隔离层65和栅极绝缘层63,并暴露半导体图案62的源极接触区和漏极接触区。而后，本实施例可以采用PVD工艺以及图案化工艺在介质隔离层65上形成源极图案661和漏极图案662,源极图案661和漏极图案662为同层结构并作为TFT的源漏电极层，源极图案6ei覆盖其中一个通孔并与半导体图案62的源极接触区连接，漏极图案662覆盖另一个通孔并与半导体图案62的漏极接触区连接。[0047]通过上述方式，本实施例即可制得所需要的TFT。[0048]S53:形成覆盖所述TFT的平坦层，所述平坦层开设有暴露所述TFT的漏极图案的跨接孔。[0049]如图6所述，平坦层67为覆盖介质隔离层65的一整面结构，但其开设有暴露所述TFT的漏极图案662的跨接孔。[0050]S54:在平坦层上形成第一导电图案，所述第一导电图案覆盖所述跨接孔且与TFT的漏极图案接触。[0051]S55:采用物理气象沉积PVD工艺在第一导电图案上形成反射层，所述PVD工艺的压强为0.8〜IPa、功率为2〜4kw、惰性气体的流量为1〇〇〜i5〇sccm。[0052]S56:在反射层上形成第二导电图案。[0053]S57:在平坦层上形成覆盖第二导电图案的像素定义层，所述像素定义层开设有开口区，所述开口区暴露第二导电图案。[0054]S58:在第二导电图案上形成有机发光图案。[0055]步骤S54-S55所制得的第一导电图案、反射层和第二导电图案即为0LED面板的阳极68,三者的结构可参阅图3所示。三者的制造过程可参阅上述实施例，此处不再赘述。[0056]所述像素定义层Pixeldefinitionlayer，PDL69为覆盖平坦层67的一整面结构，但其开设有开口区691，该开口区691暴露阳极68的第二导电图案的上表面。有机发光图案692可以形成于该开口区691内，且与阳极68的第二导电图案接触。[0057]本实施例的0LED面板可视为基于LTPSLowTemperaturePoly-silicon,低温多晶硅技术）的0LED面板，由于采用图2所示的方法形成阳极68,因此具有与其相同的有益效果。[0058]综上所述，本发明的主要目的是：在形成阳极的反射层的过程中，PVD工艺的压强为0.8〜IPa、功率为2〜4kw、惰性气体的流量为100〜150sccm，以此使得反射层中晶粒的均一性较低，具体为至少低于5%，提高反射层对可见光的反射率，改善0LK面板的发光效率。[0059]在此基础上，以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，例如各实施例之间技术特征的相互结合，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

权利要求：1.一种OLED阳极的制造方法，其特征在于，所述方法包括：形成第一导电图案；采用物理气象沉积PVD工艺在第一导电图案上形成反射层，其中所述PVD工艺的压强为0.8〜IPa帕斯卡）、功率为2〜4kw千瓦）、惰性气体的流量为100〜150sccm每分钟标准毫升；在所述反射层上形成第二导电图案。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反射层的材质包括银。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用氧化铟锡IT0形成所述第一导电图案和所述第二导电图案。4.一种0LED基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底基材；在所述衬底基材上形成TFT;形成覆盖所述TFT的平坦层，所述平坦层开设有暴露所述TFT的漏极图案的跨接孔；在所述平坦层上形成第一导电图案，所述第一导电图案覆盖所述跨接孔且与所述TFT的漏极图案接触；采用物理气象沉积PVD工艺在第一导电图案上形成反射层，其中所述PVD工艺的压强为0.8〜IPa、功率为2〜4kw、惰性气体的流量为100〜150sccm;在所述反射层上形成第二导电图案；形成覆盖所述平坦层的像素定义层，所述像素定义层开设有开口区，所述开口区暴露所述第二导电图案；在所述第二导电图案上形成有机发光图案。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述TFT包括形成于所述衬底基材上的半导体图案、栅极绝缘层、栅极图案、介质隔离层和源漏电极层，所述源漏电极层包括同层间隔设置于所述介质隔离层上的源极图案和漏极图案，所述TFT还包括贯穿于所述介质隔离层和栅极绝缘层的两个通孔，所述两个通孔暴露所述半导体图案的上表面，所述源极图案和漏极图案覆盖分别所述两个通孔并与所述半导体图案接触。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述反射层的材质包括银。7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，采用IT0形成所述第一导电图案和所述第二导电图案。8.—种0LED阳极，其特征在于，所述0LED阳极包括依次层叠设置的第一导电图案、反射层和第二导电图案，所述反射层中晶粒大小的均一性至少低于5%。9.根据权利要求8所述的0LED阳极，其特征在于，所述反射层的材质包括银。10.根据权利要求8所述的0LED阳极，其特征在于，所述第一导电图案和所述第二导电图案的材质均包括IT0。

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