申请/专利权人:美光科技公司
申请日:2020-01-21
公开(公告)日:2020-07-31
公开(公告)号:CN111477257A
主分类号:G11C11/4074(20060101)
分类号:G11C11/4074(20060101);G11C11/409(20060101)
优先权:["20190123 US 16/254,962"]
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的撤回
法律状态:2023.05.30#发明专利申请公布后的撤回;2020.08.25#实质审查的生效;2020.07.31#公开
摘要:本发明涉及用于读取操作的技术。描述了用于读取操作的方法、系统、装置和技术。在一些实例中,存储器装置可包含第一晶体管例如,存储器节点晶体管,所述第一晶体管配置成在第一栅极处接收预充电电压,并基于所述第一晶体管的阈值通过第一开关向参考节点输出第一电压。所述装置可包含第二晶体管例如,参考节点晶体管,所述第二晶体管配置成接收预充电电压,并基于所述第二晶体管的阈值通过第二开关向存储器节点输出第二电压。所述第一电压可以通过参考电压修改并被输入到所述第二晶体管。所述第二电压可以通过存储在存储器单元上的电压修改并被输入到所述第一晶体管。所述第一和第二晶体管可以输出将取样到锁存器的第三和第四电压。
主权项:1.一种设备,其包括:第一晶体管,其配置成在第一栅极处接收第一电压并向第一节点输出第二电压;第二晶体管,其配置成在第二栅极处接收第三电压并向第二节点输出第四电压;第三晶体管,且与所述第一节点耦合且配置成将所述第二电压传输到与存储器单元相关联的第三节点,所述第二电压至少部分地基于所述第一电压和所述第一晶体管的第一电压阈值;第四晶体管,其与所述第三节点和所述第二晶体管的所述第二栅极耦合,且配置成至少部分地基于所述第二电压和与所述存储器单元相关联的逻辑状态而选择性地偏置所述第二栅极;以及锁存器,其包括第一输入,所述第一输入与所述第一节点耦合且配置成至少部分地基于接收到参考电压信号而确定与所述存储器单元相关联的所述逻辑状态。
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