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【发明公布】一种多孔Si/SiC/C材料的制备方法及负极材料_厦门理工学院_202010289292.0 

申请/专利权人:厦门理工学院

申请日:2020-04-14

公开(公告)日:2020-07-31

公开(公告)号:CN111477849A

主分类号:H01M4/36(20060101)

分类号:H01M4/36(20060101);H01M4/38(20060101);H01M4/587(20100101);H01M10/0525(20100101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.08.17#授权;2020.08.25#实质审查的生效;2020.07.31#公开

摘要:本发明涉及一种多孔SiSiCC材料的制备方法和负极材料,其制备方法包括:S1、将废硅粉和镁粉按质量比进行研磨混合,混合物和无水乙醇置于行星式球磨机中进行物理球磨,烘干,得到硅镁合金粉体;S2、在惰性气体保护下,将所述硅镁合金粉体进行加热反应,随炉冷却,研磨,得到所述硅化镁粉体;S3、在CO2氛围下对硅化镁粉体进行加热反应,随炉冷却,研磨,酸洗,即得。所述多孔SiSiCC材料用作锂离子电池负极材料,利用SiCC保护层上的多孔结构缓解了内部被包裹的硅的体积膨胀效应,同时SiCC层可以将硅包覆得更加完全,从而有效提高了硅碳负极材料的倍率性能和循环性能。

主权项:1.一种多孔SiSiCC材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、将废硅粉和镁粉研磨混合,所得的混合物加入溶剂后,进行物理球磨,之后烘干,得到硅镁合金粉体;S2、在惰性气体保护下,将步骤S1得到的硅镁合金粉体进行加热反应,之后随炉冷却,研磨,得到硅化镁粉体;S3、在CO2氛围下,对步骤S2得到的硅化镁粉体进行加热处理,之后随炉冷却,研磨,酸洗,得到所述多孔SiSiCC材料。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 厦门理工学院 一种多孔Si/SiC/C材料的制备方法及负极材料

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