申请/专利权人：费勉仪器科技(上海)有限公司

申请日：2020-04-20

公开（公告）日：2020-07-31

公开（公告）号：CN111471968A

主分类号：C23C14/30(20060101)

分类号：C23C14/30(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.06.23#授权;2020.08.25#实质审查的生效;2020.07.31#公开

摘要：本发明提供了一种狭缝聚焦型超高真空运行的磁偏转电子束蒸发源，包括蒸发区和电子发射区，所述蒸发区包括坩埚2，所述电子发射区包括直通腔体5、电子枪11和主磁场9，所述电子发射区和所述蒸发区之间通过直通腔体上端法兰与蒸发区下端法兰连接，所述蒸发区下端法兰与所述直通腔体上端法兰之间设置有隔离板12；所述坩埚2设置在所述隔离板12上；所述隔离板12上设置有聚焦通孔1；所述聚焦通孔1包括磁铁基座13与多块偶数片磁铁14。本发明的有益效果是：大幅度消除高温环境下由于材料表面逸放出的杂质成分气体及轻元素对薄膜纯度以及蒸发源性能及其寿命的影响，从而提高蒸发源性能与寿命。

主权项：1.一种狭缝聚焦型超高真空运行的磁偏转电子束蒸发源，包括蒸发区和电子发射区，所述蒸发区包括坩埚2，所述电子发射区包括直通腔体5、电子枪11和主磁场9，所述电子发射区和所述蒸发区之间通过直通腔体上端法兰与蒸发区下端法兰连接，其特征在于：所述蒸发区下端法兰与所述直通腔体上端法兰之间设置有隔离板12；所述坩埚2设置在所述隔离板12上；所述隔离板12上设置有聚焦通孔1；所述聚焦通孔1包括磁铁基座13与多块磁铁14，所述磁铁的数量为偶数；所述磁铁基座13上设置有贯通的凹槽；所述磁铁14在所述凹槽内均匀分布；多块所述磁铁14沿所述电子枪11发射的电子束轨道方向磁化，对立方位的多块所述磁铁14的磁化方向一致，相邻近磁铁的磁化方向相反；所述电子枪11、所述主磁场9、所述坩埚2和所述聚焦通孔1之间的位置满足：所述电子枪11发射的电子束经所述主磁场9偏转后从所述凹槽的一端进入，从所述凹槽的另一端射出并打在所述坩埚2内。

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