申请/专利权人：华大半导体有限公司

申请日：2020-05-14

公开（公告）日：2020-07-31

公开（公告）号：CN111474980A

主分类号：G05F3/26(20060101)

分类号：G05F3/26(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.04.15#授权;2020.08.25#实质审查的生效;2020.07.31#公开

摘要：本发明提供了一种电流镜电路，所述电流镜电路包括至少一个电流镜子模块，其中：所述电流镜子模块包括子模块本体及第一保护模块；至少一个所述电流镜子模块的所述第一保护模块包括一个使能晶体管及一个去耦电容，所述使能晶体管及所述去耦电容分别分布在所述子模块本体的两侧；在原有的虚拟晶体管所占据的区域替换为使能晶体管及去耦电容，使电流镜电路无需占用更多的版面资源来放置使能晶体管和去耦电容，且所述使能晶体管及去耦电容分布在所述子模块本体的两侧，避免了子模块本体的边缘刻蚀速率快，造成刻蚀过度并提升电流镜电路电流失配的风险，另外，使能晶体管及去耦电容不是镜像电流的匹配对象，其刻蚀后形成的尺寸不影响整体电流镜电路的电流匹配。

主权项：1.一种电流镜电路，其特征在于，所述电流镜电路包括至少一个电流镜子模块，其中：所述电流镜子模块包括子模块本体及第一保护模块；至少一个所述电流镜子模块的所述第一保护模块包括一个使能晶体管及一个去耦电容，所述使能晶体管及所述去耦电容分别分布在所述子模块本体的两侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华大半导体有限公司 电流镜电路

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