申请/专利权人：江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司

申请日：2020-06-01

公开（公告）日：2020-07-31

公开（公告）号：CN111477741A

主分类号：H01L45/00(20060101)

分类号：H01L45/00(20060101);H01L27/24(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.08.25#实质审查的生效;2020.07.31#公开

摘要：本发明揭示了一种非易失多值忆阻器，包括：衬底、以及依次形成于衬底上的金属底电极、功能层和金属顶电极，其中，金属底电极临近功能层的一侧表面还设置有若干金属纳米颗粒，若干金属纳米颗粒具有至少两种不同的尺寸。本发明还揭示了一种非易失多值忆阻器的制备方法，包括：S1、提供一衬底，并在衬底上制备金属底电极；S2、在金属底电极远离衬底的一侧表面形成若干金属纳米颗粒，若干金属纳米颗粒至少包含两种不同的尺寸；S3、在金属底电极形成有金属纳米颗粒的一侧表面制备功能层；S4、在功能层远离衬底的一侧表面制备金属顶电极。本发明的优点包括：所提供的忆阻器能够实现高一致性非易失多值的特性。

主权项：1.一种非易失多值忆阻器，其特征在于，包括：衬底、以及依次形成于所述衬底上的金属底电极、功能层和金属顶电极，其中，所述金属底电极临近所述功能层的一侧表面还设置有若干金属纳米颗粒，所述若干金属纳米颗粒具有至少两种不同的尺寸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司 非易失多值忆阻器

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