申请/专利权人:中国科学院微电子研究所
申请日:2020-04-09
公开(公告)日:2020-08-18
公开(公告)号:CN111554679A
主分类号:H01L27/092(20060101)
分类号:H01L27/092(20060101);H01L21/8238(20060101);H01L29/423(20060101);H01L21/28(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.03.31#授权;2020.09.11#实质审查的生效;2020.08.18#公开
摘要:本发明公开了一种SOIFinFET器件及其制作方法,其中所述SOIFinFET器件包括:衬底,在衬底上具有掺杂形成成组的源区和漏区;每一组源区和漏区之间的上方为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域中的任一区域;第一区域的衬底上方依次设置为高K介质层、第一掺杂层、第二掺杂层、TiN层以及填充层;第二区域的衬底上方依次设置为高K介质层、第一掺杂层、第二掺杂层、TiN层以及填充层;第三区域的衬底上方依次设置为高K介质层、第二掺杂层、TiN层以及所述填充层;第四区域的衬底上方依次设置为高K介质层、第二掺杂层以及填充层。本发明的SOIFinFET器件不存在厚的功函数层,P型器件栅极金属填充问题得到了很好的改善。
主权项:1.一种SOIFinFET器件,其特征在于,包括:衬底,在所述衬底上具有掺杂形成成组的源区和漏区;每一组所述源区和所述漏区之间的上方为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域中的任一区域;其中,所述第一区域用于形成P型低阈值电压器件的栅极,所述第二区域用于形成P型标准阈值电压器件的栅极,所述第三区域用于形成N型低阈值电压器件的栅极,所述第四区域用于形成N型标准阈值电压器件的栅极;所述第一区域由下至上依次设置为高K介质层、第一掺杂层、第二掺杂层、TiN层以及填充层;其中,所述第一掺杂层为含有增大有效功函数的掺杂剂的TiN层,所述第二掺杂层为含有减小有效功函数的掺杂剂的TiN层;所述第二区域由下至上依次设置为所述高K介质层、所述第一掺杂层、所述第二掺杂层、所述TiN层以及所述填充层;所述第三区域由下至上依次设置为所述高K介质层、所述第二掺杂层、所述TiN层以及所述填充层;所述第四区域由下至上依次设置为所述高K介质层、所述第二掺杂层以及所述填充层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中国科学院微电子研究所 一种SOI FinFET器件及其制作方法
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