申请/专利权人：西安微电子技术研究所

申请日：2020-07-01

公开（公告）日：2020-08-28

公开（公告）号：CN111593325A

主分类号：C23C16/42(20060101)

分类号：C23C16/42(20060101);C23C16/455(20060101);H01L21/02(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.07.04#发明专利申请公布后的驳回;2020.09.22#实质审查的生效;2020.08.28#公开

摘要：本发明一种低压化学气相淀积法淀积两层钨硅的方法，方法包括如下步骤：步骤1，将待淀积的硅片传入缓冲腔，待缓冲腔的真空度小于300mTorr后，再将待淀积的硅片传入工艺腔中；步骤2，在底压小于100mTorr的工艺腔中通入WF6、SiH4和载气，之后进行低压化学气相淀积反应，在待淀积的硅片上生成一层钨硅；步骤3，将淀积有一层钨硅的硅片传入步骤1所述的缓冲腔中，待工艺腔完成自清洁工艺后，将淀积有一层钨硅的硅片传入工艺腔中按照步骤2进行第二次低压化学气相淀积反应，得到淀积有两层钨硅的硅片，从而有效降低MOS产品的多晶电阻，同时提高产品器件的开关速度。

主权项：1.一种低压化学气相淀积法淀积两层钨硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，将待淀积的硅片传入缓冲腔，待缓冲腔的真空度小于300mTorr后，再将待淀积的硅片传入工艺腔中；步骤2，在底压小于100mTorr的工艺腔中通入WF6、SiH4和载气，之后进行低压化学气相淀积反应，在待淀积的硅片上生成一层钨硅，WF6、SiH4和载气的体积比为2～3：400～500：350～450；步骤3，将淀积有一层钨硅的硅片传入步骤1所述的缓冲腔中，待工艺腔完成自清洁工艺后，将淀积有一层钨硅的硅片传入工艺腔中按照步骤2进行第二次低压化学气相淀积反应，得到淀积有两层钨硅的硅片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安微电子技术研究所 一种低压化学气相淀积法淀积两层钨硅的方法

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