申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2020-06-18

公开（公告）日：2020-09-11

公开（公告）号：CN111653525A

主分类号：H01L21/8238(20060101)

分类号：H01L21/8238(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/02(20060101);H01L21/8244(20060101);H01L27/11(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.11.17#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.11#公开

摘要：本发明公开了一种FINFET的制造方法，包括步骤：步骤一、完成多晶硅伪栅去除之前的步骤；步骤二、去除所述多晶硅伪栅；步骤三、在FINFET的NMOS的形成区域中形成具有收缩性的SMT氮化硅；步骤四、进行退火使所述SMT氮化硅进一步收缩，收缩的所述SMT氮化硅使所覆盖的所述NMOS的沟道区产生拉应力；步骤五、去除所述SMT氮化硅。本发明能提升NMOS的沟道区的拉应力，且工艺简单以及均匀性好。

主权项：1.一种FINFET的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、完成多晶硅伪栅去除之前的步骤，包括：在半导体衬底上形成鳍体；形成多个由第一栅介质层和多晶硅伪栅叠加而成的伪栅极结构；所述伪栅极结构覆盖在对应的所述鳍体的选定区域段的顶部表面或侧面，FINFET对应的沟道区由被所述伪栅极结构所覆盖的所述鳍体组成；FINFET包括NMOS和PMOS；形成第零层层间膜，所述第零层层间膜填充在各所述伪栅极结构之间的区域且所述第零层层间膜的顶部表面和所述伪栅极结构的顶部表面相平；步骤二、去除所述多晶硅伪栅；步骤三、在FINFET的NMOS的形成区域中形成具有收缩性的SMT氮化硅；步骤四、进行退火使所述SMT氮化硅进一步收缩，收缩的所述SMT氮化硅使所覆盖的所述NMOS的沟道区产生拉应力；步骤五、去除所述SMT氮化硅。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 FINFET的制造方法

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