申请/专利权人：天津领芯科技发展有限公司

申请日：2020-03-29

公开（公告）日：2020-09-11

公开（公告）号：CN211478703U

主分类号：G02B6/26(20060101)

分类号：G02B6/26(20060101);G02B6/10(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.09.11#授权

摘要：本实用新型公开了一种铌酸锂薄膜光波导芯片的光纤耦合结构，所述光纤为锥形透镜光纤，其固定于套管上，所述套管固定在套管支撑底板上，所述锥形透镜光纤与铌酸锂薄膜光波导芯片的光波导对准。另外，还提供了一种基于上述结构的铌酸锂薄膜光器件。采用本实用新型提出的铌酸锂薄膜光波导的光纤耦合结构以及基于该耦合结构的光器件具有低耦合损耗、高可靠性、高稳定性的特点，可以有效地提升铌酸锂薄膜光器件在光纤通信、光纤传感、微波光子链路等使用环境的工程应用价值。

主权项：1.一种铌酸锂薄膜光波导芯片的光纤耦合结构，其特征在于，所述光纤为锥形透镜光纤，其固定于套管上，所述套管固定在套管支撑底板上，所述锥形透镜光纤与铌酸锂薄膜光波导芯片的光波导对准。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津领芯科技发展有限公司 铌酸锂薄膜光波导芯片的光纤耦合结构及光器件

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