申请/专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司

申请日：2020-07-31

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111668102A

主分类号：H01L21/336(20060101)

分类号：H01L21/336(20060101);H01L29/786(20060101);H01L27/32(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.04.07#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法，该薄膜晶体管的制备方法包括：在基板上形成遮光层；将具有遮光层的基板置于腔室内，并向腔室内通入前处理气体，并对基板进行前处理；向腔室内通入第一缓冲层气体，以去除残留的前处理气体；向腔室内通入第一缓冲层气体和第二缓冲层气体，以在遮光层远离基板的一侧形成缓冲层；在缓冲层远离基板的一侧形成有源层，有源层是由金属氧化物半导体材料形成的。通过避免前处理气体与第二缓冲层气体的接触，减少了杂质颗粒的形成，提高了薄膜晶体管的良品率。

主权项：1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在基板上形成遮光层；将具有所述遮光层的所述基板置于腔室内，并向所述腔室内通入前处理气体，并对所述基板进行前处理；向所述腔室内通入第一缓冲层气体，以去除残留的所述前处理气体；向所述腔室内通入所述第一缓冲层气体和所述第二缓冲层气体，以在所述遮光层远离所述基板的一侧形成缓冲层；在所述缓冲层远离所述基板的一侧形成有源层，所述有源层是由金属氧化物半导体材料形成的。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管的制备方法、显示面板及显示装置

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