申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2020-07-24

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111668299A

主分类号：H01L29/66(20060101)

分类号：H01L29/66(20060101);H01L29/06(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本发明提供一种LDMOS器件的制造方法，通过在半导体衬底内形成第一导电类型的漂移区；然后，在所述半导体衬底上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层暴露出部分所述漂移区；接着，以所述图形化的光刻胶层为掩膜，对暴露出的所述漂移区执行离子注入工艺，以形成第二导电类型的阱区。即所述阱区位于所述漂移区内，在形成所述阱区和所述漂移区的过程中，只需要通过所述图形化的光刻胶层定义所述阱区的位置，因此，可以减少一次图形化的光刻胶层的图形对准，由此，可以减少阱区与漂移区之间的位置偏离，从而可以减少两者之间的套刻误差，进而可以提高LDMOS器件的导电沟道长度、阈值电压和漏电流的稳定性。

主权项：1.一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底内形成第一导电类型的漂移区；在所述半导体衬底上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层暴露出部分所述漂移区；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，对暴露出的所述漂移区执行离子注入工艺，以形成第二导电类型的阱区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 LDMOS器件的制造方法

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