申请/专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所;中国科学院合肥物质科学研究院

申请日：2020-07-23

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111663110A

主分类号：C23C14/35(20060101)

分类号：C23C14/35(20060101);C23C14/06(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/58(20060101);C23C14/02(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.10.08#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本发明公开了一种具有高耐磨性和抗辐照性能的二硫化钼钇稳定氧化锆复合薄膜（MoS2YSZ）的制备方法，是先采用射频磁控溅射物理气相沉积技术制备MoS2YSZ复合薄膜，然后将薄膜进行热退火处理，消除MoS2晶体在磁控溅射生长过程中的本征缺陷；得到的薄膜MoS2002取向择优，结晶性能良好，呈现出低摩擦、高耐磨性能（平均摩擦系数0.05，磨损寿命2×105转）和高耐磨抗辐照特性，实现了MoS2YSZ基复合薄膜低摩擦与抗辐照自适应的一体化，因此，可用于反应堆及聚变堆辐照环境下机械运动部件的润滑。

主权项：1.一种具有高耐磨性和抗辐照性能的二硫化钼钇稳定氧化锆复合薄膜的制备方法，是将基底材料经清洗后，先采用射频磁控溅射物理气相沉积技术制备MoS2YSZ复合薄膜，然后将MoS2YSZ复合薄膜进行热退火处理，消除MoS2晶体在磁控溅射生长过程中的本征缺陷，得到具有优异摩擦性能和抗辐照性能的二硫化钼钇稳定氧化锆复合薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院兰州化学物理研究所;中国科学院合肥物质科学研究院 一种具有高耐磨性与抗辐照性能的二硫化钼/钇稳定氧化锆复合薄膜及其制备方法

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