申请/专利权人：福州大学

申请日：2020-07-18

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111669180A

主分类号：H03M1/46(20060101)

分类号：H03M1/46(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本发明涉及一种基于Vcm的超低功耗SARADC开关切换结构及其开关切换方法。所述电路包括第一电容阵列、第二电容阵列、比较器、2个切换开关组、2个采样开关，第一、第二电容阵列的电容顶板DACP、DACN分别与比较器连接，DACP和DACN还分别经2个采样开关与共模电平Vcm连接，第一、第二电容阵列中电容的底板经第一、第二切换开关组与基准电平Vref、地电平Vss、共模电平Vcm、输入电平Vip或者Vin连接；比较器包括依次连接的动态预放大器、动态锁存器，动态预放大器的两输入端分别作为比较器的同相、反相输入端，动态锁存器输出端作为比较器的输出端。本发明相比于传统型电容阵列节省了最高位权重电容，且相比于顶板采样的电容阵列开关切换结构，可以实现更好的ADC精度。

主权项：1.一种基于Vcm的超低功耗SARADC开关切换结构，其特征在于，包括第一电容阵列、第二电容阵列、比较器、2个切换开关组、2个采样开关，所述第一电容阵列、第二电容阵列均由二进制权重容值为C0、C0、2C0……2N-1C0的N+1个电容组成，所述第一切换开关组、第二切换开关组均包括N+1个切换开关，第一电容阵列中全部电容的顶板相连接作为第一电容阵列的电容顶板DACP，第二电容阵列中全部电容的顶板相连接作为第二电容阵列的电容顶板DACN，DACP和DACN分别与比较器的同相输入端、反相输入端连接，DACP和DACN还分别经2个采样开关与共模电平Vcm连接，第一电容阵列中前N个权重容值的电容的底板分别与N个切换开关的一端连接，该N个切换开关的另一端连接基准电平Vref、地电平Vss、共模电平Vcm、输入电平Vip，第一电容阵列中最小权重容值的一个电容的底板与1个切换开关的一端连接，该切换开关的另一端连接基准电平Vref、共模电平Vcm、输入电平Vip，第二电容阵列中的N+1个电容的顶板相连接作为第二电容阵列的电容顶板DACN，第二电容阵列中前N个权重容值的电容的底板分别与N个切换开关的一端连接，该N个切换开关的另一端连接基准电平Vref、地电平Vss、共模电平Vcm、输入电平Vip，第二电容阵列中最小权重容值的一个电容的底板与1个切换开关的一端连接，该切换开关的另一端连接基准电平Vref、共模电平Vcm、输入电平Vin；所述比较器包括动态预放大器、动态锁存器，动态预放大器的两输入端分别作为比较器的同相输入端和反相输入端，动态预放大器的两输出端分别与动态锁存器的两输入端连接，动态锁存器的两输出端分别作为比较器的两输出端。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福州大学 基于Vcm的超低功耗SAR ADC开关切换结构及其开关切换方法

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