申请/专利权人：苏州凤凰芯电子科技有限公司

申请日：2020-07-08

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111668291A

主分类号：H01L29/06(20060101)

分类号：H01L29/06(20060101);H01L29/417(20060101);H01L29/47(20060101);H01L29/872(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/04(20060101);H01L21/329(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本发明涉及一种具有抗突波能力的碳化硅两级管器件及其制造方法，包括第一导电类型重掺杂碳化硅衬底、第一导电类型碳化硅外延体区、阶梯型沟槽、第二导电类型体区、肖特基金属层与欧姆金属层；在第一导电类型碳化硅外延体区的上表层开设有多个阶梯型沟槽，且在从下往上的方向上，阶梯型沟槽的槽宽呈逐级增大设置；第一导电类型碳化硅外延体区的上表面以及阶梯型沟槽的内部设有肖特基金属层；第二导电类型体区呈阶梯型且包围每一级沟槽的底面以及第二级至最后一级沟槽的侧壁。本发明提高了抗顺向突波电流能力；本发明具有更低的器件顺向导通电压、更高的器件耐压、更低的漏电电流、更好的抗突波电流能力和更低的制作成本。

主权项：1.一种具有抗突波能力的碳化硅两级管器件，包括第一导电类型重掺杂碳化硅衬底（1）、第一导电类型碳化硅外延体区（2）、阶梯型沟槽（3）、第二导电类型体区（4）、肖特基金属层（5）与欧姆金属层（6）；其特征是：此器件包括一个阶梯型沟槽肖特基金属层区，阶梯型沟槽肖特基金属层区位于器件的中心区，阶梯型沟槽肖特基金属层区包括半导体基板，半导体基板包括第一导电类型重掺杂碳化硅衬底（1）及位于第一导电类型重掺杂衬底（1）上表面的第一导电类型碳化硅外延体区（2），在第一导电类型重掺杂衬底（1）的下表面设有低接触电阻的欧姆金属层（6），欧姆金属层（6）作为器件的阴极；在所述第一导电类型碳化硅外延体区（2）的上表层开设有多个阶梯型沟槽（3），阶梯型沟槽（3）由至少三级沟槽组合形成，且在从下往上的方向上，阶梯型沟槽（3）的槽宽呈逐级增大设置；所述第一导电类型碳化硅外延体区（2）的上表面以及阶梯型沟槽（3）的内部设有肖特基金属层（5），肖特基金属层（5）作为器件的阳极；所述第二导电类型体区（4）呈阶梯型，且第二导电类型体区（4）包围每一级沟槽的底面以及第二级至最后一级沟槽的侧壁。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州凤凰芯电子科技有限公司 具有抗突波能力的碳化硅两级管器件及其制造方法

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