申请/专利权人:中国科学院微电子研究所
申请日:2020-06-22
公开(公告)日:2020-09-15
公开(公告)号:CN111668252A
主分类号:H01L27/24(20060101)
分类号:H01L27/24(20060101);H01L45/00(20060101)
优先权:
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回
法律状态:2022.12.16#发明专利申请公布后的驳回;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开
摘要:本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法。其中,该阻变存储器包括:阻变介质层,用于阻变存储;其中,阻变介质层包括:掺杂介质层,其部分具有一定掺杂浓度的金属原子,用于在阻变存储器中形成局部增强电场,使得阻变存储器的导电通道生成位置可控,从而提高器件可靠性,同时,因此可以使得本发明的阻变存储器具有免去初始激活过程特性,在初始时稳定表现为低阻态,防止在大电压激活过程中造成的电流过冲问题,此外在保证了较好电压耐受能力的同时,可以使得器件本申请的尺寸得到很好的控制,降低了大电压的功耗。
主权项:1.一种阻变存储器,其特征在于,包括:阻变介质层,用于阻变存储;其中,所述阻变介质层包括:掺杂介质层,其部分具有一定掺杂浓度的金属,用于在所述阻变存储器中形成局部增强电场,使得阻变存储器的导电通道生成位置可控。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中国科学院微电子研究所 阻变存储器及其制备方法
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