申请/专利权人:三明学院
申请日:2020-06-22
公开(公告)日:2020-09-15
公开(公告)号:CN111668329A
主分类号:H01L31/0352(20060101)
分类号:H01L31/0352(20060101);H01L31/0224(20060101);H01L31/103(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2022.04.05#授权;2020.10.30#实质审查的生效;2020.09.15#公开
摘要:一种新型光电探测器,涉及光电探测器领域。包括光导部、光吸收段、p型半导体、n型半导体、第一电极、第二电极和第三电极。光导部设于p型半导体和n型半导体之间,光吸收段贴合于光导部并沿光导部的光路方向设置。第一电极导通连接于p型半导体,第二电极导通连接于n型半导体,第三电极导通连接于光吸收段。光吸收段由光电效应材料制成。沿光路方向,光吸收段的长度为倏逝波耦合周期的0.9n‑0.5~1.1n‑0.5倍。结构简单,具有更大的饱和电流、更高的带宽和更高的响应度,整体性能得到了明显提升,对于进一步提升光纤通信系统的整体工作性能具有积极意义。
主权项:1.一种新型光电探测器,其特征在于,包括:光导部、光吸收段、p型半导体、n型半导体、第一电极、第二电极和第三电极;所述光导部设于所述p型半导体和所述n型半导体之间,所述光吸收段贴合于所述光导部并沿所述光导部的光路方向设置;所述第一电极导通连接于所述p型半导体,所述第二电极导通连接于所述n型半导体,所述第三电极导通连接于所述光吸收段;所述光吸收段由光电效应材料制成;沿光路方向,所述光吸收段的长度为倏逝波耦合周期的0.9n-0.5~1.1n-0.5倍;其中,n为正整数。
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