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【发明公布】OLED显示面板及其制作方法_武汉华星光电半导体显示技术有限公司_202010566810.9 

申请/专利权人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司

申请日:2020-06-19

公开(公告)日:2020-09-15

公开(公告)号:CN111668238A

主分类号:H01L27/12(20060101)

分类号:H01L27/12(20060101);H01L27/32(20060101);H01L51/52(20060101);H01L51/56(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.09.09#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要:本申请公开了一种OLED显示面板及其制作方法,所述OLED显示面板包括第一晶体管以及第二晶体管,其中所述第一晶体管的第一栅极与所述第二晶体管的第二栅极均位于第一金属层,所述第一晶体管的第一源极、第一漏极与位于所述第二晶体管上方的第一遮光层均位于第二金属层,且所述第二晶体管的第二有源层位于所述第二栅极与所述第一遮光层之间;相比于现有技术,本申请有效地防止了OLED显示面板内发出的光和热对第二有源层的稳定性造成影响,提高了第二有源层的稳定性,提高了第二晶体管的稳定性,进而提高了OLED显示面板的显示效果,且不需要增加额外的工艺工序,节省了工艺时间和工艺成本。

主权项:1.一种OLED显示面板,其特征在于,所述OLED显示面板包括多个像素区,且所述多个像素区中的每一者皆包括第一晶体管以及第二晶体管;所述OLED显示面板还包括:衬底层;第一金属层,设置于所述衬底层上,所述第一金属层包括所述第一晶体管的第一栅极、以及所述第二晶体管的第二栅极;第二金属层,设置于所述第一金属层上方,所述第二金属层包括所述第一晶体管的第一源极和第一漏极、以及位于所述第二晶体管上方的第一遮光层;其中,所述第二晶体管的第二有源层位于所述第二栅极与所述第一遮光层之间。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 OLED显示面板及其制作方法

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