申请/专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司

申请日：2020-06-18

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111668210A

主分类号：H01L27/02(20060101)

分类号：H01L27/02(20060101);H01L21/82(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本发明实施例一种单向高电压瞬态电压抑制保护器件，包括：一个第一导电类型的衬底；一个第二导电类型的第一外延层，第一外延层形成在衬底顶面上方；一个第二导电类型的半导体层，半导体层为形成于第一外延层顶面中的阱区或形成于第一外延层顶面上方的第二外延层；一组形成在半导体层顶面中的第二导电类型的第一注入区和第一导电类型第二注入区，第一注入区形成于第二注入区的外围，第一注入区和第二注入区之间水平间隔预定距离；一个位于第一注入区外围第一隔离槽，第一隔离槽形成于衬底、第一外延层和半导体层中，且在第一隔离槽中填充有绝缘材料。本发明实施例提供瞬态电压抑制保护器件的单向高工作电压瞬态电压抑制保护器件。

主权项：1.一种单向高电压瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，包括：一个第一导电类型的衬底；一个第二导电类型的第一外延层，第一外延层形成在衬底顶面上方；一个第二导电类型的半导体层，半导体层为形成于第一外延层顶面中的阱区或形成于第一外延层顶面上方的第二外延层；一组形成在半导体层顶面中的第二导电类型的第一注入区和第一导电类型第二注入区，第一注入区形成于第二注入区的外围，第一注入区和第二注入区之间水平间隔预定距离；一个位于第一注入区外围第一隔离槽，第一隔离槽形成于衬底、第一外延层和半导体层中，且在第一隔离槽中填充有绝缘材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海韦尔半导体股份有限公司 一种单向高电压瞬态电压抑制保护器件及其制备方法

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