申请/专利权人:中国科学院微电子研究所
申请日:2020-06-15
公开(公告)日:2020-09-15
公开(公告)号:CN111668323A
主分类号:H01L31/0224(20060101)
分类号:H01L31/0224(20060101);H01L31/02(20060101);H01L31/115(20060101);H01L31/18(20060101);G01T1/24(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.09.21#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开
摘要:本说明书提供一种漂移探测器及其加工方法,漂移探测器包括:衬底;设置在所述衬底两个表面上,用于使所述衬底形成漂移区的的漂移电极;设置在所述衬底两个表面,并且位于所述漂移电极同侧的集电电极;所述集电电极用于收集经由所述漂移区的载流子。本说明书提供的漂移探测器在衬底的两个表面均设置有集电电极,而不再设置用于使得载流子向集电电极垂直移动的反向偏压。因为衬底的两个表面均设置集电集电电极,漂移电子在集电电极的电场作用下向集电电极漂移;因为没有反向偏压的影响,光生电子漂移因电压设置不合理而造成的损失。
主权项:1.一种漂移探测器,其特征在于,包括:衬底;设置在所述衬底两个表面上,用于使所述衬底形成漂移区的的漂移电极;设置在所述衬底两个表面,并且位于所述漂移电极同侧的集电电极;所述集电电极用于收集经由所述漂移区的载流子。
全文数据:
权利要求:
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