申请/专利权人：TCL华星光电技术有限公司

申请日：2020-06-08

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111668236A

主分类号：H01L27/12(20060101)

分类号：H01L27/12(20060101);H01L21/77(20170101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2022.12.02#发明专利申请公布后的驳回;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本发明提供一种阵列基板及其制备方法，包括：衬底、至少一个第一薄膜晶体管以及至少一个第二薄膜晶体管。本发明通过第一刻蚀阻挡块限定了第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。并且通过将第二刻蚀阻挡块设置在有源层与第一源极之间，而第一漏级靠近所述有源层，进而缩短了第一薄膜晶体管的有效沟道，使得晶体管的迁移率和面板的像素数量可以大幅度提升。

主权项：1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；以及并列设于所述衬底上的至少一个第一薄膜晶体管以及至少一个第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为LTPS薄膜晶体管；其中，所述第一薄膜晶体管包括：第一栅极，设于所述衬底上；栅极绝缘层，设于所述第一栅极以及所述衬底上；有源层，设于所述栅极绝缘层上；第一漏级，设于所述栅极绝缘层上，所述第一漏级与所述有源层同层制备；第一刻蚀阻挡层，设于所述栅极绝缘层上，且所述第一刻蚀阻挡块位于所述第二薄膜晶体管与所述第一漏级之间；以及第一源极，设于所述有源层上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： TCL华星光电技术有限公司 阵列基板及其制备方法

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