申请/专利权人：中国人民解放军战略支援部队航天工程大学

申请日：2020-06-03

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111665639A

主分类号：G02B27/09(20060101)

分类号：G02B27/09(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.03.31#发明专利申请公布后的驳回;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本发明涉及一种基于交叉相位的类厄米特高斯光束的制备方法。交叉相位是一种特殊的光场相位结构，类厄米特高斯光束是一种特殊的光场，其相位分布与拉盖尔高斯光束相同，强度分布与厄米特高斯光束相同。利用多参量联合调控技术制备携带拉盖尔高斯光束与交叉相位信息的全息图样，并加载到空间光调制器，一束线偏振高斯光束照射到空间光调制器进行复振幅调制，出射光为携带交叉相位的拉盖尔高斯光，传播一段距离后即可在近场条件下生成类厄米特高斯光。本方法光路简洁，属于激光操控领域，可应用于类厄米特高斯光束的制备。

主权项：1.一种基于交叉相位的类厄米特高斯光束的制备方法，其特征在于：交叉相位是一种特殊的光场相位结构，类厄米特高斯光束是一种特殊的光场，可以利用交叉相位制备类厄米特高斯光束；利用多参量联合调控技术制备携带拉盖尔高斯光信息与交叉相位的全息图样，并加载到空间光调制器，一束线偏振高斯光束照射到空间光调制器进行复振幅调制，出射光为携带交叉相位的拉盖尔高斯光束，传播一段距离后即可在近场条件下生成类厄米特高斯光束。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国人民解放军战略支援部队航天工程大学 一种基于交叉相位的类厄米特高斯光束的制备方法

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