申请/专利权人：西安工程大学

申请日：2020-05-28

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111663087A

主分类号：C22C47/14(20060101)

分类号：C22C47/14(20060101);C22C49/02(20060101);C22C49/14(20060101);H01H1/0237(20060101);H01H11/04(20060101);C22C101/02(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.08.31#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本发明公开了一种晶须增强银氧化锡电接触合金的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1、制备氧化锡晶须；步骤2、使用氧化锡晶须制备晶须增强银‑氧化锡复合粉体；步骤3、使用晶须增强银‑氧化锡复合粉体制备晶须增强银基电接触合金。能够控制氧化锡在银基体中的形态，提高第二相氧化锡在银基体中的分散性，使得合金内部第二相氧化物分布均匀；氧化锡晶须具有强度高、模量高、耐热性好、相容性良好等特点，利用氧化锡晶须增强可以有效的提高银基电接触合金的力学性能和物理性能；氧化锡晶须的特殊结构可以在电弧侵蚀作用下维持第二相的均匀性，大大提高银氧化锡电接触合金的性能和使用寿命。

主权项：1.一种晶须增强银氧化锡电接触合金的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1、制备氧化锡晶须；步骤2、使用氧化锡晶须制备晶须增强银-氧化锡复合粉体；步骤3、使用晶须增强银-氧化锡复合粉体制备晶须增强银基电接触合金。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安工程大学 一种晶须增强银氧化锡电接触合金的制备方法

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