申请/专利权人：上海新傲科技股份有限公司

申请日：2020-05-08

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111668128A

主分类号：H01L21/66(20060101)

分类号：H01L21/66(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.09#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：一种氢离子注入剂量检测方法以及氢离子注入剂量检测系统，能够实现对氢离子注入剂量变化的检测，从而提高薄膜转移的质量，提高半导体器件的制备良率。其中，所述氢离子注入剂量检测方法包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底内注入有氢离子，形成有氢离子注入层；检测所述氢离子注入层的厚度变化，并在所述氢离子注入层的厚度发生的变化超过预设值时判定所述氢离子的注入剂量发生变化。

主权项：1.一种氢离子注入剂量检测方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底内注入有氢离子，形成有氢离子注入层；检测所述氢离子注入层的厚度变化，并在所述氢离子注入层的厚度发生的变化超过预设值时判定所述氢离子的注入剂量发生变化。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海新傲科技股份有限公司 氢离子注入剂量检测方法以及氢离子注入剂量检测系统

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD