申请/专利权人：无锡固电半导体股份有限公司

申请日：2020-04-13

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN211507640U

主分类号：H01L29/732(20060101)

分类号：H01L29/732(20060101);H01L23/29(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/45(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.09.15#授权

摘要：本实用新型涉及一种逆变器用NPN型功率晶体管，在N+型衬底层的下表面设有背面金属层，在N+型衬底层的上表面设有N‑型衬底层，在N‑型衬底层内设有P‑型基区，在P‑型基区内设有N+型发射区与N+型增阻环，N+型增阻环包围所述的N+型发射区，在P‑型基区的上表面设有基区金属层，在基区金属层的上表面设有基区金属层引出端，在N+型发射区的上表面设有发射区金属层，在发射区金属层的上表面设有发射区金属层引出端，发射区金属层与基区金属层之间通过绝缘介质层相互隔离。本实用新型提高了特征频率，减小了开关时间；能吸附杂质，降低漏电流；能够减少尖峰击穿，减小产品的漏电流；提高了产品的功率耐量，使产品具有较高的抗过热点烧毁能力。

主权项：1.一种逆变器用NPN型功率晶体管，包括N+型衬底层（1）、N-型衬底层（2）、P-型基区（3）、N+型发射区（4）、N+型增阻环（5）、绝缘介质层（6）、基区金属层（7）、发射区金属层（8）、基区金属层引出端（9）、发射区金属层引出端（10）与背面金属层（11）；其特征是：在N+型衬底层（1）的下表面设有背面金属层（11），背面金属层（11）用于形成晶体管的集电极C，在N+型衬底层（1）的上表面设有N-型衬底层（2），在N-型衬底层（2）内设有P-型基区（3），在P-型基区（3）内设有N+型发射区（4）与N+型增阻环（5），N+型增阻环（5）包围所述的N+型发射区（4），在P-型基区（3）的上表面设有基区金属层（7），在基区金属层（7）的上表面设有基区金属层引出端（9），基区金属层引出端（9）用于形成晶体管的基极B，在N+型发射区（4）的上表面设有发射区金属层（8），在发射区金属层（8）的上表面设有发射区金属层引出端（10），发射区金属层引出端（10）用于形成晶体管的发射极E，所述发射区金属层（8）与基区金属层（7）之间通过绝缘介质层（6）相互隔离。

全文数据：

权利要求：

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