申请/专利权人:深圳市创芯技术有限公司
申请日:2020-04-08
公开(公告)日:2020-09-15
公开(公告)号:CN211506230U
主分类号:G05B19/042(20060101)
分类号:G05B19/042(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2020.09.15#授权
摘要:本实用新型公开了一种EMC优化电路,该EMC优化电路包括驱动IC,驱动IC在给出驱动信号高电平,经过电阻R30限流后,二极管D2此时是正向导通满,在经过电阻R12驱动MOS晶体管Q1,使其开通。在当驱动IC给出低电平信号时,MOS晶体管Q1会截止,此时PNP型三极管Q3为低电平导通。将驱动电压通过电阻R12到地,直至放到0V,MOS晶体管停止工作,并不会通过二极管D2流向驱动IC,此时二极管D2方向截止。通过以上原理,本实用新型能够把PNP型三极管Q3、电阻R12、电阻R13放到接近MOS晶体管Q1的位置,以上工作的环路就会非常小,又起到很好的EMC控制作用。
主权项:1.一种EMC优化电路,该EMC优化电路包括与电源连接的二级共模电感电路、与所述二级共模电感电路输出端连接的桥式二极管电路,所述二级共模电感电路设有第一共模电感电路和第二共模电感电路,其之间的电路节点上电连接有:电容CX1;串联的电阻R1和电阻R2;串联的电阻R3和电阻R4,所述电阻R1和电阻R2之间的电路节点、所述电阻R3和电阻R4的电路节点之间相连接且连接有一电阻R10;其特征在于,所述EMC优化电路还包括:一驱动IC,该驱动IC的GATE-6引脚端能够给出驱动信号高电平;顺次连接形成串联电路的电阻R30、二极管D2、电阻R12以及MOS晶体管Q1,其中,所述电阻R30接入所述GATE-6引脚端,电阻R30为限流电阻,其与所述二极管D2的正极端连接且其与所述二极管D2之间的电路节点上连接有电阻R13,所述电阻R12与所述MOS晶体管Q1的栅极连接;一PNP型三极管Q3,其基极连接所述电阻R13的另一端,其发射极连接至所述二极管D2和所述电阻R12之间的电路节点上,其集电极连接至所述MOS晶体管Q1的源极且其与所述MOS晶体管Q1的栅极之间连接有电阻R14。
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权利要求:
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