申请/专利权人：意法半导体股份有限公司;意法半导体(图尔)公司

申请日：2020-03-04

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111668824A

主分类号：H02H9/04(20060101)

分类号：H02H9/04(20060101)

优先权：["20190305 FR 1902245"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.04.07#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本公开的各实施例涉及过电压保护设备。提供了过电压保护电路。在一些实施例中，过电压保护电路包括：第一二极管，该第一二极管由具有大于硅的带隙宽度的带隙宽度的第一半导体材料制成。第二二极管被包括，并且第二二极管与第一二极管电交叉耦合。第二二极管由与不同于第一半导体材料的第二半导体材料制成。

主权项：1.一种过电压保护电路，包括：第一二极管，所述第一二极管由具有大于硅的带隙宽度的带隙宽度的第一半导体材料制成；以及第二二极管，所述第二二极管与所述第一二极管电交叉耦合，所述第二二极管由与所述第一半导体材料不同的第二半导体材料制成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 意法半导体股份有限公司;意法半导体(图尔)公司 过电压保护设备

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