申请/专利权人：韩国科学技术研究院;财团法人波动能量极限制御研究团

申请日：2020-03-03

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111665576A

主分类号：G02B1/00(20060101)

分类号：G02B1/00(20060101);G01N21/59(20060101)

优先权：["20190306 KR 10-2019-0025928"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.03.25#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本发明的一个实施例提供了一种使用超材料的光学成像设备，该光学成像设备包括：超材料阵列传感器，该超材料阵列传感器包括由超材料制成的多个单位晶格并与观察对象相邻放置；成像光束提供单元，该成像光束提供单元向超材料阵列传感器提供成像光束；控制光束提供单元，该控制光束提供单元控制提供至单位晶格的控制光束以阻挡入射在单位晶格上的成像光束；以及成像光束测量单元，该成像光束测量单元通过测量当成像光束穿过单位晶格时超材料阵列传感器的成像光束透射量和当控制光束聚焦在单位晶格上以阻挡入射在单位晶格上的成像光束时超材料阵列传感器的成像光束透射量来测量穿过单位晶格的单位晶格成像光束透射量。

主权项：1.一种使用超材料的光学成像设备，所述光学成像设备包括：超材料阵列传感器，所述超材料阵列传感器包括由超材料制成的多个单位晶格并与观察对象相邻放置；成像光束提供单元，所述成像光束提供单元向所述超材料阵列传感器提供成像光束；控制光束提供单元，所述控制光束提供单元控制提供至所述单位晶格的控制光束以阻挡入射在所述单位晶格上的所述成像光束；以及成像光束测量单元，所述成像光束测量单元通过测量当所述成像光束穿过所述单位晶格时所述超材料阵列传感器的成像光束透射量和当所述控制光束聚焦在所述单位晶格上以阻挡入射在所述单位晶格上的所述成像光束时所述超材料阵列传感器的成像光束透射量，来测量穿过所述单位晶格的单位晶格成像光束透射量。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 韩国科学技术研究院;财团法人波动能量极限制御研究团 使用超材料的光学成像设备及使用超材料的光学成像方法

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