申请/专利权人：华邦电子股份有限公司

申请日：2020-03-03

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111668191A

主分类号：H01L23/544(20060101)

分类号：H01L23/544(20060101);H01L21/66(20060101)

优先权：["20190308 TW 108107928"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.24#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本发明提供一种半导体结构包括衬底、至少二待测结构、隔离结构以及检测短路结构。至少二待测结构配置于衬底上。至少二待测结构的材料包括导电材料。隔离结构夹于至少二待测结构之间。检测短路结构包括检测层，检测层配置于至少二待测结构中的一者上，以使至少二待测结构之间的短路缺陷可于电子束检测制程中被识别，且检测层的材料包括导电材料。另提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构的检测短路方法。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于包括：衬底；至少二待测结构，配置于所述衬底上，其中所述至少二待测结构的材料包括导电材料；隔离结构，夹于所述至少二待测结构之间；以及检测短路结构，其中所述检测短路结构包括检测层，所述检测层配置于所述至少二待测结构中的一者上，以使所述至少二待测结构之间的短路缺陷可于电子束检测制程中被识别，且所述检测层的材料包括导电材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华邦电子股份有限公司 半导体结构及其制造方法与检测短路方法

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