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【发明公布】半导体激光装置以及分析装置_株式会社堀场制作所_202010139281.4 

申请/专利权人:株式会社堀场制作所

申请日:2020-03-03

公开(公告)日:2020-09-15

公开(公告)号:CN111668695A

主分类号:H01S5/024(20060101)

分类号:H01S5/024(20060101);G01J3/10(20060101);G01J3/42(20060101);G01N21/31(20060101);G01N21/3504(20140101);G01N21/3554(20140101)

优先权:["20190308 JP 2019-043099"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.02.08#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要:本发明提供半导体激光装置以及分析装置。一种半导体激光装置,用于光学分析,能够减小检测半导体激光元件的温度的温度检测元件的测定误差,高精度地进行半导体激光元件的温度控制,其中,具备:半导体激光元件2;温度检测元件3,检测半导体激光元件2的温度;输出端子T1、T2,将温度检测元件3的输出向外部输出;布线L1、L2,将温度检测元件2与输出端子T1、T2电连接;以及热容量增大部7,夹设在温度检测元件3与输出端子T1、T2之间,与布线L1、L2的至少一部分接触而增大布线L1、L2的热容量。

主权项:1.一种半导体激光装置,用于光学分析,其中,具备:半导体激光元件;温度检测元件,检测所述半导体激光元件的温度;输出端子,将所述温度检测元件的输出向外部输出;布线,将所述温度检测元件与所述输出端子电连接;以及热容量增大部,夹设在所述温度检测元件与所述输出端子之间,与所述布线的至少一部分接触而增大所述布线的热容量。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社堀场制作所 半导体激光装置以及分析装置

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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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