【发明公布】抗蚀剂底层组合物和使用所述组合物形成图案的方法_三星SDI株式会社_202010116537.X 

申请/专利权人:三星SDI株式会社

申请日:2020-02-25

发明/设计人:朴贤;崔有廷;权纯亨;裵信孝;白载烈

公开(公告)日:2020-09-15

代理机构:北京同立钧成知识产权代理有限公司

公开(公告)号:CN111665683A

代理人:杨贝贝;臧建明

主分类号:G03F7/004(20060101)

地址:韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号

分类号:G03F7/004(20060101);G03F1/76(20120101)

优先权:["20190306 KR 10-2019-0025943"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2020.09.15#公开

摘要:本发明提供一种抗蚀剂底层组合物和一种使用抗蚀剂底层组合物来形成图案的方法,抗蚀剂底层组合物包含:聚合物,聚合物包含由化学式1表示的结构单元;和溶剂。化学式1的定义与详细描述中所描述的相同。[化学式1]

主权项:1.一种抗蚀剂底层组合物,包括聚合物,包含由化学式1表示的结构单元;以及溶剂:[化学式1] 其中,在化学式1中,L1到L5独立地为单键、经取代或未经取代的C1到C30亚烷基、经取代或未经取代的C6到C30亚芳基、经取代或未经取代的C1到C30亚杂烷基、经取代或未经取代的C3到C20亚环烷基、经取代或未经取代的C2到C20亚杂环烷基、经取代或未经取代的C1到C30亚杂烯基、经取代或未经取代的C2到C30亚杂芳基、经取代或未经取代的C2到C30亚烯基、经取代或未经取代的C2到C30亚炔基或其组合,L6和L7独立地为O、S、SO、SO2、CO、COO、OCOO、单键、经取代或未经取代的C1到C30亚烷基、经取代或未经取代的C6到C30亚芳基、经取代或未经取代的C1到C30亚杂烷基、经取代或未经取代的C3到C20亚环烷基、经取代或未经取代的C2到C20亚杂环烷基、经取代或未经取代的C1到C30亚杂烯基、经取代或未经取代的C2到C30亚杂芳基、经取代或未经取代的C2到C30亚烯基、经取代或未经取代的C2到C30亚炔基或其组合,R1和R2独立地为氢、氘、卤素、羟基、氰基、硝基、氨基、环氧基、乙烯基、甲基丙烯酸酯基、氧杂环丁烷基、硫醇基、羧基、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C2到C30烯基、经取代或未经取代的C2到C30炔基、经取代或未经取代的C1到C10烷氧基、经取代或未经取代的C1到C30硫代烷基、经取代或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C2到C20杂环烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C6到C30芳氧基、经取代或未经取代的C6到C30硫代芳基、经取代或未经取代的C2到C30杂芳基或其组合,n为1到1,000的整数中的一个,D为O、S、SO2、CO或COO,m为0或1的整数,*为连接点,A1和A2独立地为O、S、SO、SO2、CO、COO、OCOO、经取代或未经取代的C3到C10亚环烷基、经取代或未经取代的C2到C10亚杂环烷基、经取代或未经取代的C6到C30亚芳基、经取代或未经取代的C2到C30亚杂芳基或其组合,以及A1和A2中的至少一个为由化学式A表示的基团:[化学式A] 其中,在化学式A中,La为单键、经取代或未经取代的C1到C30亚烷基、经取代或未经取代的C6到C30亚芳基、经取代或未经取代的C1到C30亚杂烷基、经取代或未经取代的C3到C20亚环烷基、经取代或未经取代的C2到C20亚杂环烷基、经取代或未经取代的C1到C30亚杂烯基、经取代或未经取代的C2到C30亚杂芳基、经取代或未经取代的C2到C30亚烯基、经取代或未经取代的C2到C30亚炔基或其组合,以及*为连接点。

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